铠侠计划2027年量产332层BiCS10闪存

关于下一代3D NAND闪存的量产进程，近期行业信息有了新的明确指向。据韩媒ZDNET Korea引述产业链内部消息，铠侠（KIOXIA）已将其第十代BiCS FLASH（BiCS10）的量产目标时间正式定于2027年。这一规划表明，相较于此前市场普遍预期的2026年量产节点，实际进度有所调整。而关于具体的产线投资与制造细节，预计需等到2026年下半年才会进一步明朗。

铠侠在3D NAND技术演进上有着清晰且系统的路线图。自第八代BiCS8起，公司便引入了一项核心架构创新——CBA（CMOS直接键合至阵列）。这项技术的优势在于，它实现了NAND闪存中存储单元阵列与外围逻辑电路的制造分离。具体而言，存储单元和负责控制、接口及管理功能的外围电路可以各自采用最优化的制程工艺独立生产，随后通过先进的键合技术精准集成。这一解耦设计为后续产品在性能提升、功耗优化及成本控制方面提供了关键的技术灵活性。

基于这一架构理念，铠侠已成功开发出BiCS9样品，其特点在于融合了成熟的存储单元技术与更为先进的外围CMOS工艺。而作为下一代重点产品的BiCS10，则将在堆叠层数上实现显著突破，达到332层。增加堆叠层数的核心目的，是为了在单位芯片面积内集成更高的存储密度，从而有效满足未来数据中心、高端PC及企业级存储市场对超大容量与高性能固态硬盘日益增长的需求。

除了层数飞跃，BiCS10的接口传输速率也将升级至4.8Gbps，带来更快的数据读写速度。综合评估，其比特密度预计将比当前的BiCS8产品提升约59%。这一显著的密度提升，将直接推动未来SSD产品的单盘容量上限，并有助于降低每比特存储成本。当然，从技术样品走向规模化量产，仍需经历复杂的工艺调试、良率提升和产能爬坡阶段。将量产时间点设定在2027年，也为产业链上下游提供了一个更为切实可行的技术落地与市场预期时间表。