美光CEO称内存短缺或持续至2026年 新产能2028年大规模释放

全球内存市场正步入一个历史性的“超级周期”。近日，美国存储芯片巨头美光首席执行官桑杰·马罗特拉在接受媒体专访时指出，当前全球范围内的内存供应短缺态势，很可能将持续至2026年之后。而行业真正意义上的大规模新增产能释放，预计至少要等到2028年才会逐步实现。

美光CEO预警全球内存短缺可能延续至2026年后 图为美光公司标识

在人工智能技术浪潮将内存芯片推向“数字时代新石油”战略地位的背景下，这一预警无疑为全球半导体产业链敲响了警钟。为应对这场持久且强劲的需求增长，美光已在美国启动一项横跨三个州、总投资规模高达2000亿美元的长期投资计划。

然而，宏伟蓝图的落地实施远比预期更为复杂。“厂房基础设施建设是目前周期最长、挑战最大的环节，”马罗特拉在弗吉尼亚州马纳萨斯工厂的现场坦言。该工厂刚刚实现了全美首个基于“1-alpha”制程节点的DRAM内存芯片量产，这也是美光将先进内存制造产能回迁至美国本土的关键一步。他进一步说明，即便土建工程完成，后续生产设备的进场、安装与调试同样需要漫长周期，整个产能建设过程的时间跨度远超外界通常的想象。

产能爬坡难以迅速缓解供应紧张

根据美光此前公布的扩产路线图，其产能提升计划清晰而审慎：在爱达荷州博伊西建设两座先进晶圆厂，其中首座工厂预计明年年中才能产出首批晶圆，第二座工厂的量产时间则要等到2028年底；在纽约州锡拉丘兹，公司更是规划了一个包含四座晶圆厂的大型生产集群。整体战略目标，是将美国本土产量占全球总产量的比重，从目前的约10%显著提升至40%。

由于半导体产能扩张绝非一蹴而就，当前市场的供需矛盾异常突出。马罗特拉透露，即便是面对最核心的战略客户，美光目前的供应满足率也仅能达到50%至三分之二的水平，市场需求缺口依然巨大。

巨额资本开支背后的“纪律性”产能规划

内存行业素来以显著的周期性波动著称，繁荣与调整交替出现。美光此次规模空前的2000亿美元投资计划，自然引发了市场对其未来可能面临产能过剩风险的关注。

对此，马罗特拉给出了明确回应：美光将始终坚持“严谨且理性”的产能投资纪律。他特别强调，何时向新建的厂房内投入昂贵的半导体生产设备，将完全取决于对市场实时需求趋势的精准研判。其核心逻辑在于布局“战略先手”——提前完成基础设施准备，以便能够敏捷响应市场需求变化，而非进行盲目建设导致资本错配。

为了给长期投资提供更稳定的需求可见性，美光正积极与下游客户签订长期供应协议。这一模式既保障了客户未来的供应链安全，也为美光自身大规模资本开支提供了可持续的需求支撑。

政策支持与本土制造战略

值得关注的是，作为美国本土唯一的内存芯片制造商，美光的扩张计划与美国加强关键供应链安全的战略高度契合，并获得了有力的政府支持。美国商务部长霍华德·卢特尼克等官员近期多次公开表态支持，美国政府也在推动更具激励性的“国家工业政策”，以促进半导体制造本土化。

马罗特拉表示，这项庞大的投资计划预计将直接创造约9万个高技能就业岗位。为保障长期人才供给，美光正深度融入地方产业生态，积极推动与社区、高等院校、科研机构及配套保障体系的协作，并全力推进相关的技术学徒培养项目，为行业可持续发展储备专业人才。

一场由人工智能驱动的内存需求海啸已经到来，而供给侧的反应则是一场需要长期耐心与巨额资本投入的马拉松。从美光的战略布局可以看出，全球芯片供应链的地缘格局与产能分布，正在经历一场深刻重构。