三星电子全球首发HBM4E 12层样品 16Gbps

【CNMO科技消息】2025年5月29日，三星电子正式宣布，向全球客户交付业界首款HBM4E 12层样品——距离今年2月启动HBM4量产出货，仅隔不到四个月。如此紧凑的节奏，释放出明确信号：在AI基础设施赛道，三星正全力加速产品迭代，抢占高带宽内存市场先机。

核心参数层面，这款HBM4E 12层产品在设计与工艺上进行了针对性优化。单引脚传输速率从14Gbps跃升至最高16Gbps，较上一代HBM4提升超过20%。换算为带宽，单堆栈可实现每秒3.6TB的数据吞吐能力——这一数值意味着什么？简单来说，大语言模型及下一代AI系统中的高强度计算需求，该产品均能从容应对。

容量方面同样值得关注。HBM4E 12层版本提供48GB容量，较前代提升30%以上。三星规划清晰：后续还将推出32GB的8层版本与64GB的16层版本，覆盖不同客户的多场景需求。简言之，按需配置，从入门到旗舰全面覆盖。

工艺层面，HBM4E沿用已在HBM4上验证成熟的技术方案——10纳米级第六代DRAM，配合三星自研4纳米逻辑芯片。这一组合的优势显而易见：先进工艺稳定性更有保障，良率与量产能力得以兼顾。此外，产品在低功耗设计与封装结构上进一步优化，能效比提升16%，热阻特性改善超过14%。这些数据在真实部署中直接影响散热成本与运营功耗，无疑会成为业内关注焦点。

接下里看量产节奏。三星表示，将根据客户时间表推进量产供货。背景信息显示：今年2月三星已实现HBM4量产出货，客户对HBM4在速度与功耗方面的反馈相当积极。去年12月，HBM4在SiP测试中跑出11.7Gbps速度，获得较高评价。由于HBM4与HBM4E采用同一套1c DRAM加4纳米基础芯片组合，业内正密切关注HBM4E后续量产进展——毕竟工艺一致性高，量产爬坡难度理论上更低。三星这盘棋，才刚刚开始落子。