宏芯宇正式发布22nm UFS 2.2主控芯片HG2325
宏芯宇在台北电脑展发布22nmUFS2 2主控HG2325,内置SRAM缓存和4KLDPC纠错,支持3DTLC QLC及64GB-1TB,另展PCIe5 0eSSD、DDR5RDIMM与车规存储。
在今年的台北国际电脑展(Computex)上,宏芯宇(Hosin)正式推出了备受瞩目的自主研发新品——型号为HG2325的UFS 2.2嵌入式闪存主控芯片。该芯片采用22纳米制程工艺,内部集成大容量SRAM缓存,并搭载了自研的4KB LDPC硬件纠错引擎,能够全面兼容当前主流的3D TLC与QLC NAND闪存颗粒。在平台兼容性方面,HG2325可无缝对接多种主流SoC架构,并支持从64GB到1TB的完整容量范围,覆盖场景十分广泛。

同期,宏芯宇还集中展示了一套完整的高性能存储方案,产品涵盖PCIe Gen5 x4接口的eSSD、DDR5-5600规格的RDIMM内存模组,以及面向车载市场的车规级嵌入式闪存与固态硬盘。由此可见,宏芯宇此次同时在存储主控、企业级内存和车规存储等多个赛道协同发力,产品线较以往更为完善。
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