三星电子1c纳米DRAM内存良率突破量产盈亏平衡点

1月17日最新消息，据韩国媒体IT Chosun昨日披露的关键数据，三星电子第六代10纳米级DRAM制程工艺（即业界所称的1c nm）当前良率已顺利爬升至约60%。这意味着什么？简单来说，这已正式迈过量产盈亏平衡的关键门槛。

这一数字背后，蕴含着更深远的意义。因为三星即将推出的HBM4内存，正是基于1c nm DRAM技术。可以说，DRAM晶粒良率这一核心指标的突破，直接决定了三星能否在接下来的HBM4市场竞争中抢占更大份额——盈利空间进一步拓宽，财务表现自然更加底气十足。

值得关注的是，三星电子在1c nm DRAM项目上做出了战略性的方向调整。以往，他们的策略以良率稳健优先，量产节奏相对保守。如今，这家巨头果断切换至更为主动、更快速的量产路径。说白了，就是要全面提速，更敏捷地响应市场需求的瞬息万变。这一步棋，显然是为了从英伟达等核心客户手中争夺更多订单份额。

再来看看行业内的专业研判。TrendForce集邦咨询早前指出，在HBM规格持续升级、现有HBM3E平台需求依旧强劲的双重驱动下，HBM内存的大规模量产最早有望在2026年第一季度末启动。这意味着什么？对于三星电子、SK海力士和美光这三大巨头而言，仍有足够的时间窗口用于优化产品良率。接下来的竞争，关键就在于谁跑得更快、稳得更早。