苹果iPhone芯片因散热问题几乎无缘英特尔先进制程

近期有传闻指出，苹果正在评估英特尔18A-P制程的代工方案，计划用于2027年的入门级M系列芯片以及2028年的非Pro版iPhone芯片。此外，报道透露，预计2028年发布的苹果定制专用集成电路也将采用英特尔的嵌入式多芯片互连桥接封装技术。

苹果已与英特尔签署保密协议，并获得了18A-P制程的工艺设计套件样本进行测试。该18A-P节点是英特尔首个支持Foveros Direct 3D混合键合技术的制程——简单而言，即通过硅通孔将多个芯片在垂直方向上进行立体堆叠。

然而，就在该传闻持续发酵之际，多位行业内部人士在论坛上表达了截然相反的看法，给英特尔代工iPhone芯片的预期大泼冷水。这种悲观预期主要源于英特尔在18A和14A两个关键制程节点上全面押注背面供电技术。

相比之下，台积电的策略更为灵活，同时提供包含和不包含背面供电技术的多种制程选项，为客户保留了充足的选择空间。

客观而言，背面供电技术确实具有其价值：电力通过芯片背面更短、更厚的金属路径传输，能够降低电压降，使芯片在更高且更稳定的频率下运行；同时，正面布线资源得以释放，晶体管密度提升，布线拥塞减轻，线路长度也得以缩短。

然而，对于移动芯片而言，背面供电技术带来的性能提升十分有限。更关键的是，背面供电会引发更严重的自热效应，芯片必须额外强化散热。根据相关讨论的分析，采用背面供电后，若要维持芯片热点区域温度不变，散热器需要额外降低约20摄氏度。而垂直方向的热扩散效率本就不佳，移除厚硅衬底后，横向热扩散能力只会进一步恶化——在依赖风冷或存在外壳最高允许温度限制的绝大多数应用场景中，这几乎无法实现。

说到底，问题的核心就在于此。基于这些棘手的热管理问题，业内专家的判断十分明确：短期内，英特尔几乎不可能获得苹果iPhone芯片的代工订单。当然，对于M系列处理器，仍存在代工的可能性。