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Intel 18A-P制程性能提升9%功耗省18%更快更省电

Intel 18A-P制程性能提升9%功耗省18%更快更省电

热心网友 时间:2026-07-07
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英特尔18A-P制程已正式迈入风险生产验证阶段。这不仅是时间节点的更新——其性能实现了实质性的飞跃,热管理能力得到显著增强,更关键的是,它在设计规范上与Intel 18A保持了完全统一。这意味着客户能够实现无缝衔接,无需进行额外的适配调整。

在2026年VLSI国际研讨会上,英特尔代工部门详细阐述了其先进制程的演进蓝图,并披露了一系列关键技术突破。作为Intel 18A家族中的首个性能强化节点,18A-P的推进速度完全遵循了去年向客户及合作伙伴公开的研发规划。

英特尔代工执行副总裁兼总经理Naga Chandrasekaran在大会上指出:“我们在VLSI大会上展示的技术成果与深度分享,向整个代工生态系统传递了一个明确且坚定的信号——英特尔对尖端制程创新的投入从未止步。这是一场持久且持续演进的战役,前方仍有大量关键工作有待完成。我们非常荣幸能与业界共同见证18A-P的实质性进展,以及更长远技术布局的稳步落地。”

Intel 18A-P:核心升级全面解析

从晶体管架构到互连系统,再到芯片设计方法论,18A-P受益于系统级的协同优化,实现了PPA(功耗、性能、面积)的全方位提升。在VLSI会议期间,英特尔代工技术团队公布了多项关键性能指标:

与基础版Intel 18A对比,新工艺在同功耗水平下可实现约9%的性能增益;若保持性能不变,则功耗可降低约18%。同时,热特性也获得了显著改善,为高密度、高算力芯片设计提供了更充裕的散热空间。

具体而言,以下几项核心技术值得关注:

首先是Power Boost能效增强技术——这是一项专为18A-P定制的双接触、低电阻晶体管架构。其独特之处在于,不增加额外寄生电容的同时,能有效提升晶体管驱动电流,从而支撑更高的工作频率。

其次是热阻的大幅降低。通过先进材料体系的重新构建与精细化结构设计,整体热阻相比18A下降了20%至40%。对于高功率密度应用场景,这无疑是缓解散热压力的关键举措。

然后是过孔电阻的优化。借助几何构型的调整与新型导电材料的引入,芯片多层互连间的垂直通路阻抗降低了10%–30%,直接改善了信号完整性与电源传输效率。

此外,PMOS沟道应力状态通过先进的应变工程技术得到调控,载流子迁移率显著提升,电流流通更为高效。晶体管类型谱系也进一步拓展,新增了面向不同应用场景的低功耗与高性能器件选项。更值得关注的是,在ULVT(超低阈值电压)与LVT(低阈值电压)之间,首次引入了第五档Vt(逻辑阈值电压)配置——这为设计工程师提供了更精细的功耗与速度权衡空间。

还有一个易被忽视但至关重要的细节:Intel 18A-P完整延续了18A的全部设计规范。包括统一的接触栅极间距(50nm),以及双单元高度支持(180nm高性能库HP与160nm高密度库HD)。这意味着IP复用零门槛,设计流程可实现平滑迁移。对客户而言,这是实实在在的利好。

GAA晶体管与背面供电:技术纵深剖析

基于Intel 18A平台,全环绕栅极(GAA)晶体管与背面供电(BSPD)技术已经正式投入量产应用。在VLSI大会上,英特尔工程团队用实测数据阐释了这两项技术如何为下一代逻辑芯片奠定性能与能效基础。

英特尔代工副总裁兼英特尔院士Eric Karl展示了背面供电与GAA晶体管协同作用的量化成果:相比传统正面布线方案,两者结合可缩减11%的金属布线面积,动态IR压降抑制效果高达10倍,最终转化为最高6%的频率增益,或超过15%的动态功耗削减。

英特尔代工硅片与平台工程团队高级总监Manju Shamanna则分享了搭载GAA晶体管与背面供电架构的真实CPU核心硅验证结果。数据显示,在约0.5V低压工作区间内,该组合可实现近30%的核心频率提升,同时显著降低IR压降——这意味着能效稳定性与运行可靠性的双重提升。

面向未来的技术布局

除了18A-P的量产推进,英特尔代工还在VLSI平台上发布了一系列面向后GAA时代的前沿探索成果,值得深入关注:

互补场效应晶体管(CFET):成功流片了单片集成CFET反相器,NMOS与PMOS器件实现垂直堆叠,栅极间距压缩至45nm。这一结构为延续摩尔定律、突破GAA的微缩瓶颈提供了全新的技术路径。

氮化镓+硅单片集成电源管理方案:在300mm晶圆上完成了GaN功率器件与硅基逻辑电路(含约1000门数字控制模块)的单片异质集成。高效率功率输出与智能化数字调控深度融合,系统层级复杂度显著降低。

减成法钌互连技术(含空气间隙):展示了一种采用空气隙介质集成的减成式钌互连结构。相比传统铜互连,其寄生电容降低幅度高达约35%,并伴随可观的频率性能提升。对于持续微缩下的RC延迟挑战,这是一个切实可行的解决方案。

从18A-P的量产推进,到GAA与背面供电的协同优化,再到CFET、氮化镓集成、钌互连等前瞻技术的探索——英特尔代工在VLSI上展示的,是一条层次清晰、节奏明确的演进路线。技术的最终价值,从来不在于发布时的声势,而在于它能否在实际设计中落地、在量产中跑通。从目前释放的信息来看,这条路线走得比许多人预期的要稳健。

来源:https://www.php.cn/faq/2716180.html?uid=1503042

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