长晶科技牵头筹建江苏省新型功率半导体重点实验室
长晶科技联合南京邮电大学筹建江苏省新型功率半导体重点实验室,面向双碳目标与能源安全,聚焦高性能SGT、极致CSP、高功率密度IGBT及第二代1200VSiCMOSFET四个技术方向,构建企业出题、高校解题、产业转化闭环,突破功率半导体共性技术瓶颈。
7月11日,江苏省科技厅正式公布了由企业主导的省级重点实验室筹建名单。长晶科技作为牵头单位,联合南京邮电大学共建的“江苏省新型功率半导体重点实验室”成功入选——这一消息在行业内引发了广泛关注。


该实验室的定位十分明确:紧密围绕国家“双碳”目标、能源安全战略以及集成电路全产业链自主可控等核心方向,精准聚焦江苏省“1650”现代化产业体系中,新型功率半导体领域面临的共性技术瓶颈。具体要攻克哪些技术难题?实验室锁定了四个关键技术攻关方向——高性能SGT产品及其封装技术研究、极致CSP器件特性研究、高功率密度IGBT产品研究,以及第二代1200V SiC MOSFET功率器件关键技术及产业化研究。每一个方向都是当前功率半导体领域亟待突破的关键环节。
值得关注的是,该实验室的运作模式并非简单的“校企合作”,而是深度整合了长晶科技在IDM全产业链上的优势,同时融合了南京邮电大学在功率器件、器件物理、集成技术与先进封测领域的学术积淀和人才团队。从“器件理论模型创新—新型功率器件创新—智能设计方法学创新—系统应用集成创新”这四个维度协同推进,旨在打通从基础研究、技术攻关到成果转化的完整链路,打造高压高频功率半导体领域的原创技术策源地。这种“企业出题、高校解题、产业转化”的闭环机制,正是当前国家创新体系所急需的典型模式。
对长晶科技而言,此次获批筹建省级重点实验室,无疑是其创新平台建设历程中的一个重要里程碑。接下来,按照省级重点实验室的建设标准推进筹建工作,集中力量攻坚功率半导体关键核心技术,加速科研成果转化落地——这些并非空谈,而是清晰的行动路线图。可以预见,该实验室将为功率半导体产业的高质量发展提供有力支撑,并为国家高水平科技自立自强、抢占产业科技创新制高点贡献重要力量。
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