台积电看家技术持续外流：2nm、1.6nm工艺将赴美生产

8月3日消息，作为当前全球最先进的芯片生产企业，台积电成为半导体竞争的核心，原本台积电计划把尖端工艺留在本土生产，但是这两年形势变化很大，被当作杀手锏的2nm及1.6nm工艺也要转向美国生产。

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随着全球半导体格局转变，原本无意在美国建厂的台积电在2020年首次宣布赴美生产，在美国亚利桑那州建设了第一座晶圆厂，工艺水平在4nm级别，目前已经投产，AMD等多家客户表态要使用美国工厂生产。

相比本土生产，台积电美国工厂的成本会更高，AMD CEO苏姿丰最近提到成本会高出5%到20%左右。

台积电第一座美国晶圆厂的工艺跟当前的工艺水平相差1-2代，但是随着后续的发展，台积电也在把最先进的工艺转移到美国生产，第二座晶圆厂将生产3nm工艺，之前计划于2026年开始量产，现在已经推迟到了2028年。

后续的建厂计划也不会止步于此，2028年还会再建第三座晶圆厂F21 P3，同时还会有配套的先进封装工厂，使用SoIC及CoPos封装技术，当前台积电在美国生产的先进工艺芯片还需要运回本土封装，等配套工厂完工后可以在美国工厂实现生产封装一条龙。

第三座工厂的工艺也会大幅升级到2nm（N2）及A16，后者就是之前1.6nm工艺的正式名称，工艺水平跟台积电本土趋于一致，意味着核心技术也不得不外流到美国。

未来还有第四座晶圆厂，初期工艺跟P3工厂一致，但保留后期升级的可能，意味着有比A16更先进的工艺在美国生产，很大可能就是再下一代的A14工艺，等效1.4nm级别的。

官网信息显示，与台积电领先业界的N2制程相比，A14将在相同功耗下，提升达15%的速度；或在相同速度下，降低达30%的功率，同时逻辑密度增加超过20%。

至于A16工艺，相较于台积电公司的N2P制程，A16在相同Vdd（工作电压）下，速度增快8-10%，在相同速度下，功耗降低15-20%，晶片密度提升高达1.10倍，特别适用于具有复杂讯号线路和高密度供电线路的高性能计算（High-Performance Computing，HPC）产品。