Rapidus完成2nm GAA测试流片,2027年量产月产能将达2.5万片
8月27日最新消息,在刚刚落幕的Hot Chips 2025技术大会上,日本半导体企业Rapidus正式宣布已完成2纳米GAA(环绕栅极)测试芯片的流片工作(注:实际流片成功时间为7月10日),并确定将于2027年进入量产阶段。
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这款2纳米芯片采用ASML极紫外光刻技术制造,各项电气性能指标均达到预期标准。到2027年,Rapidus设在IIM-1的晶圆厂月产能预计将提升至2.5万片。

Rapidus在大会现场还详细介绍了IIM-1工厂的战略定位及其对客户的独特价值。相较于台积电和英特尔等竞争对手,该公司2027年的制程工艺预计仍存在一至两代的差距。为此,Rapidus正通过生产模式的创新寻求突破:
- 单晶圆处理方案:从设计到晶圆完成的周期可压缩至50天,而传统批量与单晶圆混合生产模式通常需要120天;
- 极速交付保障:针对特殊产品的紧急需求,标准50天交付周期可进一步缩短至15天,这将是2纳米工艺领域前所未有的交付速度。
Rapidus强调,这一创新模式依托于定制化的后端流程,深度融合了OSAT封测、EDA工具、IP核、研发体系及材料供应链,旨在实现快速流片与高效交付的闭环。

在短短三年发展历程中,Rapidus已实现IIM-1工厂多个重要节点:2023年9月启动工厂建设,2025年6月完成200余台尖端半导体设备的安装调试。
现阶段,业界最关注的是Rapidus的实际执行能力。虽然公司战略规划已展现出相当可行性,但半导体制造业充满变数,许多计划往往难以完全按时间表推进,因此其后续发展仍值得持续观察。





延伸阅读:
- 《日本先进半导体制造商Rapidus启动2纳米GAA晶体管试产,首块晶圆正式亮相》
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