新一代UltraRAM内存量产在即：千年存储+高速读写双突破
8月29日消息，结合DRAM内存、NAND闪存优点的新一代内存——UltraRAM终于要来了，如今正迈向量产。
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据报道，UltraRAM的开发公司Quinas Technology过去一年持续与先进晶圆产品制造商IQE合作，致力将UltraRAM内存的制程推进到工业化规模。
UltraRAM被视为结合DRAM与NAND优点的新型存储器，具备DRAM的高速传输、耐用度比NAND高4,000倍、超低能耗，及资料保存能力长达千年等特点。
报道指出，该设计之所以大幅进展，主要是因为采用锑化镓（gallium antimonide）与锑化铝（Aluminium antimonide）的磊晶技术获得突破，而且为全球首创，将帮助UltraRAM真正进入量产。
据悉，UltraRAM仰赖磊晶技术，后续才会经过曝光与蚀刻等半导体制程，来构建内存芯片结构。
ps.磊晶技术简单说就是在衬底（比如硅片、蓝宝石）这个 “原子模板” 上，让原子顺着模板的晶格纹路定向生长，最终形成一层没有 “拼接缝” 的高质量单晶薄膜（磊晶层）的工艺.
IQE首席执行官Jutta Meier指出：“我们已经成功达成目标，为 UltraRAM开发出可扩展的磊晶制程，这是迈向封装芯片工业化生产的重要里程碑。 这个项目代表了一个独特机会，将下一代复合半导体材料在英国实现“。
Quinas首席执行官兼共同创办人James Ashforth-Pook也表示，这次合作的成果是从大学研究迈向商业存储器产品之旅的转折点。
据悉，在接下来的商业化路径中，Quinas与IQE计划与各大晶圆厂与合作伙伴探讨试产的可能性。
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