日本Rapidus 2nm工艺逻辑密度媲美台积电N2，反超Intel 18A
最新来自日本的半导体行业简报显示，Rapidus公司在2nm制程技术研发方面取得重大突破。近日首次公开的2HP工艺节点性能数据显示，其逻辑密度指标已达到国际领先水平，与行业巨头台积电的N2工艺旗鼓相当。
最新实测数据表明，Rapidus 2HP工艺节点的晶体管集成度高达237.31百万/平方毫米（MTr/mm²），与台积电N2工艺236.17 MTr/mm²的指标几乎持平。
这一突破性进展证明，新兴企业Rapidus在高端芯片研发领域已具备与台积电这样的行业领头羊同台竞技的实力，在某些关键技术指标上甚至实现了反超。
值得注意的是，英特尔18A工艺184.21 MTr/mm²的逻辑密度明显落后于这两家竞争对手。
Rapidus采用的2HP工艺创新性地运用了高密度（HD）单元库设计，单元高度控制在138单位，基于G45间距标准，这种优化的电路布局使芯片能在有限面积内集成更多晶体管。
英特尔则采取了差异化技术路线，其18A工艺更侧重平衡性能与功耗的关系，因此虽然密度参数稍逊，但在特定应用场景下仍具竞争力。
值得一提的是，Rapidus采用的前端处理技术使其能够快速调整有限产能，并将工艺改进成果快速转化到量产产品中。据悉，Rapidus计划最早在2026年第一季度向合作伙伴提供2nm工艺的全套设计解决方案。
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