国产厂商联手突破HBM3，抢占内存技术制高点
9月2日最新消息显示，在人工智能时代背景下，HBM高带宽内存的战略地位日益凸显，其市场价值已经与高端GPU不相上下。作为当前内存技术领域的最高制程，HBM的生产主要被韩国SK海力士、三星电子以及美国美光科技三大巨头垄断。
中国本土存储芯片企业正在积极布局，在扩大基础产能的同时加速DDR4向DDR5的技术迭代。面对HBM这一重要赛道，国内厂商自然不会缺席。据韩国ZDNet Korea最新报道，长江存储(YMTC)正与长鑫存储(CXMT)展开深度合作，共同攻关HBM3内存的研发工作。
作为国内NAND闪存和DRAM内存领域的龙头企业，两家公司最快有望在今年年底采购专用的HBM研发设备。
其实在此之前，长鑫存储已经成功研发过HBM2内存，而HBM3及其后续产品对芯片堆叠技术要求更高。值得关注的是，长江存储在闪存研发领域积累的Xtacking混合键合技术优势明显——该技术能实现芯片电路的3D堆叠互连。
这项突破性技术已深耕五年，目前长江存储的3D NAND闪存产品已实现大规模商用，最新量产的270层3D闪存处于行业领先地位。在混合键合专利布局方面，从2017至2024年间，长江存储已公开119项专利，远超三星的85项，且专利数量仍在持续增加。
虽然两家公司尚未就合作传闻作出官方回应，但可以预见的是，国产HBM3e内存最快将在今年通过认证，并有望在未来两年内实现量产。这意味着HBM市场长期被美韩企业垄断的局面将被彻底打破。
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