中国光刻机技术突破65nm，专家：与ASML差距正在缩小
9月2日讯 近年来，我国半导体芯片产业虽奋起直追，但仍存在较大技术差距，这一领域依旧是受外部制约最为严重的科技短板。
国际知名投行高盛最新研究报告指出，中国现阶段自主研制的光刻设备仅能实现65纳米制程芯片的生产能力，相比荷兰ASML公司的技术水平落后近20年。
报告分析称，尽管中芯国际已具备7纳米工艺量产能力，但很可能采用了ASML早期型号的DUV深紫外光刻设备，因为我国尚未掌握制造此类尖端设备的核心技术，更无法企及ASML已迭代至第二代的EUV极紫外光刻系统。
据悉，ASML最新款High-NA EUV光刻机已向英特尔、台积电和三星等芯片巨头供货。这款重达180吨、体积堪比双层巴士的庞然大物，是目前全球最精密的半导体制造装备，其单价预估超过4亿美元，将成为实现1.4纳米及更先进制程的关键设备。
高盛研究数据显示，ASML光刻技术从65纳米演进至3纳米以下工艺，累计投入研发及设备资金达400亿美元，研发周期跨越整整20年。
分析师认为，综合考量中国现有半导体技术水平、先进工艺研发所需的巨额投入、全球供应链的复杂程度以及地缘政治风险等因素，中国本土光刻机技术短期内难以赶超国际领先水平。
财报显示，ASML在2025年第二季度实现营收77亿欧元，同比增长23.2%，毛利率攀升至53.7%，净利润达到23亿欧元，增幅达45.2%。
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