日本2nm芯片工艺密度超台积电N2，领先Intel 18A

9月2日最新消息显示，日本虽然在半导体材料领域拥有全球领先优势，但由于未能形成完整产业链，在芯片制程工艺方面长期处于边缘地位。近年来，随着日本政府大力推动产业振兴，日本企业开始在先进制程方面取得突破。

新兴晶圆代工厂商Rapidus最近公布了其2纳米2HP工艺的逻辑晶体管密度数据，结果令人意外地超越了台积电N2制程，同时大幅领先Intel 18A技术。

根据披露的信息，Rapidus 2HP工艺的晶体管密度达到每平方毫米2.3731亿个，略高于台积电N2工艺的2.3617亿个，领先幅度不足0.5%，差距相当微妙。

Intel 18A工艺的晶体管密度尚未公布官方数据，业界预估约为每平方毫米1.8421亿个，这意味着日本新工艺在密度指标上领先近30%。

至于台积电N3B/E/P、Intel 3以及三星3GAP等其他3纳米制程，与这些前沿工艺相比存在明显差距。

值得一提的是，Rapidus 2HP工艺的高密度单元库高度为138个单元，采用G45间距设计。

不过值得注意的是，知名半导体分析机构TechInsights此前评估认为，在高密度逻辑晶体管指标上，台积电N2实际达到了每平方毫米3.13亿个，Intel 18A也有2.38亿个，就连三星2GAA工艺也达到约2.31亿个。

这些数据明显高于日本方面公布的数字。

需要说明的是，Intel 18A工艺在晶体管密度上低于台积电N2，并不代表技术水平落后，而是因为采用了创新的背面供电技术，占用了部分前端金属层资源，导致逻辑密度相应降低。

同时，Intel在技术路线上更注重能效优化，而非单纯追求最高密度。

总体来看，如果Rapidus公布的数据属实，至少表明日本在2纳米工艺领域已达到相当高的水准，但能否真正超越台积电和Intel这样的行业巨头仍有待验证，特别是考虑到这还是一家新兴企业。

Rapidus计划在2026年第一季度提供2HP工艺设计工具包，预计2027年实现量产，具体将应用于哪些芯片产品目前尚不明确。

当然，即便数据存在偏差也不必大惊小怪，毕竟在日本，一个诚恳的鞠躬往往就能解决问题！

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