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星钥半导体武汉Micro LED中试线通线,引领下一代显示技术发展

星钥半导体武汉Micro LED中试线通线,引领下一代显示技术发展

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2025-09-09
来源:https://dt.zol.com.cn/1044/10443052.html

星钥半导体武汉Micro LED中试线通线,引领下一代显示技术发展

9月9日消息,昨日,星钥半导体(武汉)有限公司位于光谷的微型发光二极管(Micro LED)生产线正式通线,标志着国内首条8英寸硅基氮化镓Micro LED芯片中试线正式投入运行。

据东湖国家自主创新示范区最新介绍,星钥半导体于2024年10月落户光谷,在短短8个月内完成了厂房建设、设备安装调试,并实现知识产权数量突破百项,展现出高效的研发与落地能力。

Micro LED被业界视为下一代显示技术的关键方向。该技术的核心在于将第三代半导体材料氮化镓的发光单元缩小至微米甚至纳米级别,并实现高密度阵列集成。这种显示方案具备响应速度快、对比度高、色彩表现优异、稳定性强和寿命长等优势,尤其适用于近眼显示设备。

星钥半导体采用的是8英寸硅基氮化镓LED外延技术。由于具备成熟的无损去硅工艺,可大幅提高产品良率,同时与8英寸CMOS芯片制造工艺高度兼容,有助于推动Micro LED在AR/MR眼镜等领域的应用落地。

此次通线后,企业下一步将聚焦产能提升、良率优化及成本控制,力争将光谷产线建设成为全球领先的Micro LED示范产线。

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