三星HBM4内存采用1c工艺，性能提升37%
9月21日最新消息显示，在高带宽存储器(HBM)领域，传统存储巨头三星目前处于追赶位置，与领先的SK海力士和美光相比，其HBM3产品线量产时间晚了18个月。不过，三星正将战略重心转向下一代HBM4技术的研发。
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据可靠消息源透露，三星的HBM3e产品线近期终于通过NVIDIA的认证测试，加上此前已获得的AMD认证，意味着其产品正式获得两大GPU厂商的采购资格。
考虑到SK海力士在HBM3e市场的领先优势，三星若要实现弯道超车，就必须押注下一代HBM4技术。最新动态显示，三星正在其韩国平泽P5工厂采用最先进的第六代10nm级DRAM制造工艺——1c工艺来生产HBM4产品。
借助1c工艺与4nm逻辑工艺的协同优势，三星成功将HBM4的运行频率提升至11Gbps，这一性能参数较标准版HBM4的8Gbps规格提升了37.5%。值得注意的是，NVIDIA为应对AMD明年发布的MI450系列AI加速卡，正在要求供应链将HBM4频率提升至10Gbps，而三星提前达成的这一技术突破，将显著增强其在订单竞标中的竞争力。
虽然三星在HBM4工艺技术上取得阶段性领先，但最终能否赢得NVIDIA和AMD的大规模订单，还需考察其量产爬坡进度和产品定价策略等关键因素。
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