美光HBM4/HBM4E内存采用双源工艺，台积电参与基础裸片制造

9月24日，美光在2025财年第四季度及全年财报会议上透露，公司将为HBM4内存的基础逻辑芯片（Base Logic Die）采用自主CMOS工艺，而下一代HBM4E产品则将交由台积电代工。

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根据美光规划，HBM4E内存预计将于2027年投入商用。届时公司将提供标准版和定制版两种基础逻辑芯片方案，其中定制化HBM4E有望带来更可观的利润空间。

针对即将量产的HBM4产品，美光证实部分客户对数据传输速率提出了超出行业标准的要求，公司最新送样的HBM4样品已实现11Gbps的传输速率，明显高于JEDEC标准规定的10Gbps。

在市场供应方面，美光表示已与主要客户就2026年HBM3E产品的供应达成价格协议，同时HBM4的供应谈判也在积极推进中，预计未来几个月将完成协商。首批HBM4产品计划于2026年第二季度正式交付。

在传统存储产品方面，美光在当季取得多项进展：

• 首批10667MT/s 1-beta LPDDR5x内存完成OEM认证
• 1-gamma服务器DRAM产品实现首笔收入
• 广岛工厂安装首台1-gamma DRAM EUV光刻设备
• 性能级和主流级G9 NAND SSD通过客户认证

展望2026年，美光预测DRAM市场将持续面临供应紧张局面，同时NAND闪存市场的行情也将持续走强。