台积电N6e平台发布超低功耗M31存储器编译器

全球知名半导体IP供应商円星科技(M31 Technology Corporation)在台积电北美开放创新平台®(OIP)生态论坛上发布重要公告。继此前在台积电N12e™制程成功实现低功耗IP方案验证后，M31将其创新技术延伸至N6e™平台，正式推出包含超低漏电(ULL)、极低漏电(ELL)及低电压操作(Low-VDD)的全新存储器编译器系列产品。值得一提的是，这已是M31连续第八年荣获台积电OIP年度合作伙伴特殊制程IP奖项，充分彰显了其在半导体IP领域的创新实力与行业领导地位。

M31总经理张原熏(右)代表公司领取"台积电2025 OIP矽智财伙伴奖"

此次基于台积电N6e先进制程开发的存储器编译器系列产品，专门针对AI边缘计算与物联网设备进行深度优化。产品阵容包含采用LL、ULL和ELL SRAM单元的定制化解决方案，为智能家居、穿戴设备等应用场景提供功耗与性能的完美平衡方案。其中，N6e ULL存储器编译器整合了高密度SRAM和单端口寄存器文件，具备冗余设计、电源管理、测试扫描等功能，支持动态电压频率调节技术。产品采用高Sigma设计方法，确保在最严苛工作环境下仍能稳定运行。

ELL系列产品在功耗优化方面表现更为突出，深度睡眠模式下可减少50%的能耗，为对能效比和芯片面积有严格要求的应用场景提供理想解决方案。Low-VDD存储器编译器则实现了0.5V超低工作电压，显著降低运行功耗。这三大系列产品共同构成了M31为N6e平台打造的完整IP解决方案。

M31总经理张原熏表示："我们与台积电的战略合作是技术创新的重要保障。从N12e到最新N6e平台的产品迭代，我们始终致力于为AIoT和边缘计算提供业界领先的IP解决方案。未来，我们将持续深化与台积电及OIP生态伙伴的合作，共同推动人工智能技术的发展。"