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中国首创二维硅基闪存芯片革命性突破

中国首创二维硅基闪存芯片革命性突破

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2025-10-11
来源:https://m.mydrivers.com/newsview/1079457.html

10月11日,复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室传来最新研发成果。继上半年发布"破晓(PoX)"皮秒闪存器件后,由周鹏-刘春森带领的研究团队再次突破,成功开发出名为"长缨(CY-01)"的新型闪存架构。 这项创新性研究将二维超快闪存器件"破晓(PoX)"与现有的硅基CMOS制造工艺进行深度融合,最终研制出全球首个采用二维材料与硅基混合架构的芯片产品。

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