三星1c DRAM HBM4良率提升至50%，加快部署光刻机抢占市场

10月17日消息，科技媒体TweakTown今天报道称，三星最新的1c制程DRAM芯片在HBM4内存上的良率已达到50%。与此同时，该公司正积极扩充High-NA EUV光刻机产能，以加速HBM4及HBM4E的量产进程。

消息人士Jukanlosreve昨日在X平台发文透露，三星持续加码DRAM领域投资，已向ASML（荷兰阿斯麦公司）采购了5台最新款High-NA EUV光刻设备。按照规划，其中2台将部署在三星半导体代工部门，其余设备则专门用于存储芯片业务。

TweakTown分析指出，三星的这项战略布局暗示其正在建立专属内存生产线，这将显著提升HBM4的量产效率，同时为后续HBM4E及下一代HBM5产品的提前部署创造条件。

一位半导体业内人士表示："过去三星的代工和存储业务在韩国平泽园区共享EUV工艺资源，但随着最新调整，新增的五台光刻设备将专门服务于存储业务。"

作为参考，三星平泽园区的DRAM部门每月约生产30万片晶圆，其产线几乎已达满载状态。不过据另一位业内知情人士透露，若北美主要客户追加订单，剩余的三台光刻设备很可能被调往美国德州泰勒晶圆厂。

相较之下，三星的竞争对手SK海力士目前仍处于领先地位，其正为英伟达Blackwell系列GPU供应HBM3/HBM3E芯片。三星此次扩大DRAM产能的举措，势必将进一步加剧两家公司在存储市场的竞争态势。