台积电光刻专利7年激增582项：从350项增至932项领先三星英特尔
10月22日，行业研究机构TrendForce发布最新报告显示，在全球先进制程技术竞争中，台积电正持续推进专利布局，以巩固其在光刻领域的技术优势。数据显示，从2016年到2024年间，台积电每年提交的光刻技术专利申请量几乎翻了一番，进一步拉开了与三星、英特尔等竞争对手的差距。
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该报告引用专利分析工具Patentfield的研究成果，详细梳理了在日本、美国、欧洲及中国等主要市场提交的专利申请，重点聚焦国际专利分类号"H01L21"（涵盖半导体光刻设备）以及涉及"光刻"和"极紫外(EUV)"关键技术的专利组合。
报告指出，在"H01L21"分类下，台积电的专利申请量自2010年代中期开始呈现显著增长态势，2024年达到1548件，较2016年（723件）增长约2.1倍。
与此同时，包含"光刻"关键词的专利数量也呈现相似的增长趋势。2024年相关申请量达932件，相比2016年的350件增长了1.7倍。
除台积电外，报告还特别提到一个令人意外的参与者——IBM。这家美国科技巨头虽然在2014年退出了半导体制造业，但其位于纽约奥尔巴尼的研究中心仍持续开发包括光刻在内的先进制程技术。
报告进一步透露，在2纳米制程技术的研发过程中，IBM已与日本半导体企业Rapidus建立了战略合作伙伴关系。这一动向表明，即使不直接参与芯片生产，掌握核心技术的研发机构依然在产业生态中保持着重要影响力。
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