SK海力士研发高带宽存储技术，赋能移动AI性能提升

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身为存储芯片行业的领军企业，SK海力士正在积极扩大产能，以应对市场对芯片日益增长的需求。公司目前正着力开发前沿技术，旨在显著提升移动设备和边缘终端在人工智能任务中的运算能力。

为了强化本地AI处理性能，SK海力士正在研发一种将DRAM与NAND闪存集成于单一封装的新型存储解决方案。这项名为高带宽存储（HBS）的技术，是在先前高带宽闪存（HBF）架构基础上的进一步演进，专注于优化智能手机、平板电脑等便携式设备在运行AI应用时的效率表现。该方案通过垂直堆叠最多16层的DRAM与NAND存储单元，并采用独特的垂直导线扇出结构（VFO）实现各层之间的高效互联。

此前，SK海力士已在部分高端产品中应用VFO技术制造DRAM芯片，而此次HBS的突破在于首次将NAND闪存一并整合进同一封装体系。根据公司2024年的技术说明，VFO不仅提升了封装密度，还在散热性能和整体体积控制方面取得明显改善。相较于传统引线连接方式，该结构可将层间信号传输所需空间减少4.6倍，系统能效提升约4.9%，散热能力增强1.4倍，同时使芯片厚度压缩至原有方案的73%。

与早年合作伙伴共同推出的HBF技术不同，HBS无需依赖硅通孔（TSV）工艺，从而简化了制造流程，提高了良品率，并有效降低了生产成本，具备更强的产业适配性与推广潜力。

这种新型存储模块将直接与应用处理器（AP）进行共封装设计，大幅缩短数据传输路径，提升系统级芯片（SoC）平台的整体响应速度与处理效率。此项技术布局的核心目标，是推动移动端人工智能应用向更复杂、更实时的方向发展。

尽管该技术尚未进入量产阶段，实际性能表现仍有待验证，但SK海力士已明确规划，预计在2029年至2031年间正式推出HBS解决方案。当前，由于2026年款新一代芯片市场需求旺盛，公司现有产能已面临一定压力，这也进一步凸显了提前布局先进封装与高集成度存储技术的重要性。