三星加速1cnm DRAM扩产 抢占HBM4市场先机

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三星正加快推进1cnm DRAM产能扩充步伐，旨在抢占HBM4市场先机。按照规划，公司计划于2026年第二季度实现每月14万片晶圆的产能，并在同年第四季度进一步提升至每月20万片。上述节点标志着设备安装与调试的关键阶段，目标是在各阶段完成后迅速进入大规模量产状态。

目前，三星DRAM整体月产能约为65万至70万片晶圆。新增的1cnm制程产能将在短期内占据总产能近三成，其扩张速度已超越2024年半导体高景气周期期间每月增产13万片晶圆的最高纪录。

为实现产能目标，三星采取双轨并行策略：一方面对现有DRAM产线进行技术升级与改造，实现工艺过渡；另一方面依托位于平泽的P4工厂推进新投资，建设先进制程生产能力。

此次大规模扩产体现了三星对1cnm DRAM技术前景及未来市场需求的坚定信心。在人工智能持续发展的推动下，DRAM产品近期已呈现供应紧张态势，市场需求保持强劲。

与此同时，行业另一主要厂商也在积极布局。该公司计划于2025年内启动1cnm DRAM的量产工作，并于2026年实现全面投产。预计到2026年底，其在韩国本土生产的通用型DRAM中，超过一半将采用1cnm工艺，同时将建立起涵盖LPDDR和GDDR在内的完整新一代产品体系。