三星存储战略调整：聚焦DRAM盈利，暂缓HBM扩张步伐

11月19日消息，面对提升盈利能力的需求，三星电子正在对存储业务采取全新策略：在DRAM价格持续走高的背景下，优先扩大通用型DRAM产能，同时暂缓对高带宽存储器（HBM）的投入力度。未来几年，公司可能会持续扩充通用DRAM的生产规模，以增强整体盈利水平。

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当前，DDR5、LPDDR5X及GDDR7等DRAM产品价格保持上涨态势。据市场消息，三星32GB DDR5内存模组的合约价已从9月的149美元大幅攀升60%，至11月的239美元。面对这一有利行情，三星判断，加速发展需求旺盛、利润空间更大的通用DRAM，是短期内提升整体盈利水平的有效途径。

韩国媒体DealSite报道指出，三星计划扩大其第五代（1b节点，10纳米级）DRAM的量产规模，具体措施包括将部分旧制程产线（如1z节点）转产先进DRAM，并考虑把原用于NAND闪存的产能调配至DRAM领域，从而最大化利用现有资源。

与此同时，由于订单增长乏力，三星的高带宽存储器（HBM）业务仍处于亏损状态。尽管公司希望借助下一代HBM4产品在该领域站稳脚跟，但当前HBM4的良率表现未达预期，制约了其商业化盈利前景。此外，三星与核心客户英伟达（NVIDIA）就HBM4的供货协议尚未最终敲定，进一步延缓了该产品规模化落地进程。因此，三星在维持明年HBM生产目标的同时，正在积极扩大通用DRAM的产量。

一位三星高管明确表示：“明年我们的首要任务是不惜一切代价实现利润最大化。在技术层面我们仍落后于SK海力士，目前尚不具备凭借HBM快速实现反超的竞争力。”

据了解，作为新战略调整的一部分，三星存储业务部门的管理层也发生了变动。Han Jin-man被内部视为存储业务部门下一任负责人的热门人选。2020年，他曾担任存储业务部门战略营销办公室副总监。凭借出色的价格谈判技巧，他有望助力公司在蓬勃发展的DRAM市场实现利润最大化。