全球内存价格年内飙升50%，2026年第二季或再涨50%

11月20日消息，市场调研机构CounterPoint Research昨日（11月19日）发布报告指出，全球内存市场正面临严峻的价格上涨压力。

这份报告援引数据预测，继今年价格已飙升50%之后，动态随机存取存储器（DRAM）的价格在2025年第四季度可能再涨30%，并在2026年初进一步上涨20%。综合来看，到2026年第二季度，内存价格相较于当前水平，累计涨幅可能高达50%。

当前供应紧张的局面主要源于旧款内存芯片的短缺。为满足人工智能（AI）领域的庞大需求，三星、SK海力士等主要制造商正将产能优先分配给更先进的芯片，这直接导致旧款LPDDR4内存的供应吃紧。

这种产能转移已引发市场价格倒挂的异常现象：用于服务器和个人电脑的较新DDR5内存现货价约为每吉比特（Gb）1.50美元，而广泛用于低端消费电子产品的旧款LPDDR4价格却高达2.10美元，甚至超过了先进的HBM3e内存。

报告强调，一个更广泛且长期的风险正在浮现，其核心驱动力是芯片巨头英伟达（NVIDIA）的战略转型。传统上，服务器为保证数据可靠性，普遍采用具备错误校正码（ECC）功能的DDR内存。

然而，英伟达为降低功耗，正转向在服务器产品中大规模采用LPDDR内存，并计划通过CPU层面处理错误校正。研究总监MS Hwang指出，这一转变使英伟达的需求规模堪比一家大型智能手机制造商，对现有供应链而言，这是一场难以迅速消化的"地震级"变革。

这一系列连锁反应的最终影响将广泛波及整个消费电子生态系统。高级分析师Ivan Lam表示，最初的冲击主要影响采用LPDDR4的低端智能手机制造商，但"阵痛"很快会蔓延。

报告预测，中高端智能手机的物料清单（BoM）成本可能因此增加超过25%，这将严重侵蚀制造商的利润空间，或迫使企业上调产品售价，从而影响市场增长。在产能受限与价格飙升的双重压力下，整个行业将面临艰难的权衡与抉择。