长鑫DDR5内存重磅发布:国产8000Mbps技术已追平韩国
11月25日消息,近期于国际半导体博览会(IC China 2025)现场,长鑫存储正式发布了新一代DDR5与LPDDR5X产品,向韩美系存储大厂的技术地位发起有力挑战。
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长鑫存储透露,其最新DDR5系列产品实现了最高8000Mbps的传输速率,单个颗粒容量提升至24Gb,整体性能已跻身全球领先行列。同步推出的七款模组产品线,全面覆盖服务器、工作站及个人电脑等应用领域。
展会现场还重点展示了上月发布的LPDDR5X移动平台旗舰产品——该系列最高速率达10667Mbps,最大单颗容量16Gb,并提供12GB、16GB、24GB、32GB等多种封装规格的完整解决方案。
虽然今年早些时候国内已有企业小批量试产DDR5内存,但此次长鑫存储以代表性企业身份,首次公开展示了实际量产产品。
行业分析指出,长鑫存储展示的内存性能参数值得关注。其DDR5产品最高8000Mbps的传输速度,较上一代6400Mbps规格提升达25%,在技术路线上已至少达到韩国同级企业水平。业界专家认为,该产品性能已足以匹配搭载最新CPU的高端服务器平台。
据韩媒《Business Korea》援引日经新闻与Counterpoint Research调研数据显示,长鑫存储在第三季度全球DRAM市场斩获8%份额,位列行业第四。在NAND领域,长江存储同期市占率达到13%。
尽管美国对华EUV等关键设备出口限制延缓了中国企业的扩张步伐,但在通用DRAM领域,中韩技术差距已缩短至不足一年。
韩国媒体研判,随着2030年3D DRAM时代来临,竞争格局或将再生变数。3D DRAM采用内存单元垂直堆叠架构,当该技术实现规模化应用时,对EUV光刻设备的需求将显著降低,这可能成为中国企业实现技术超车的重要契机。
首尔大学材料科学与工程系Hwang Cheol-seong教授分析指出,单从内存技术层面考量,中韩之间的差距已基本消弭。待五年后无需EUV光刻的3D DRAM时代到来,中国半导体产业将迎来新的崛起机遇。

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