长鑫DDR5内存重磅发布：国产8000Mbps技术已追平韩国

11月25日消息，近期于国际半导体博览会（IC China 2025）现场，长鑫存储正式发布了新一代DDR5与LPDDR5X产品，向韩美系存储大厂的技术地位发起有力挑战。

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长鑫存储透露，其最新DDR5系列产品实现了最高8000Mbps的传输速率，单个颗粒容量提升至24Gb，整体性能已跻身全球领先行列。同步推出的七款模组产品线，全面覆盖服务器、工作站及个人电脑等应用领域。

展会现场还重点展示了上月发布的LPDDR5X移动平台旗舰产品——该系列最高速率达10667Mbps，最大单颗容量16Gb，并提供12GB、16GB、24GB、32GB等多种封装规格的完整解决方案。

虽然今年早些时候国内已有企业小批量试产DDR5内存，但此次长鑫存储以代表性企业身份，首次公开展示了实际量产产品。

行业分析指出，长鑫存储展示的内存性能参数值得关注。其DDR5产品最高8000Mbps的传输速度，较上一代6400Mbps规格提升达25%，在技术路线上已至少达到韩国同级企业水平。业界专家认为，该产品性能已足以匹配搭载最新CPU的高端服务器平台。

据韩媒《Business Korea》援引日经新闻与Counterpoint Research调研数据显示，长鑫存储在第三季度全球DRAM市场斩获8%份额，位列行业第四。在NAND领域，长江存储同期市占率达到13%。

尽管美国对华EUV等关键设备出口限制延缓了中国企业的扩张步伐，但在通用DRAM领域，中韩技术差距已缩短至不足一年。

韩国媒体研判，随着2030年3D DRAM时代来临，竞争格局或将再生变数。3D DRAM采用内存单元垂直堆叠架构，当该技术实现规模化应用时，对EUV光刻设备的需求将显著降低，这可能成为中国企业实现技术超车的重要契机。

首尔大学材料科学与工程系Hwang Cheol-seong教授分析指出，单从内存技术层面考量，中韩之间的差距已基本消弭。待五年后无需EUV光刻的3D DRAM时代到来，中国半导体产业将迎来新的崛起机遇。