三星研新型 NAND 闪存技术：功耗骤降 96% 实现突破

11月27日，三星公司公布了一项重大技术突破：其研发团队成功开发出一种新型NAND闪存结构，能够将功耗降低超过90%。这一创新成果有望重塑人工智能数据中心、移动设备及各类依赖存储芯片的终端产品的未来格局。

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据韩国媒体ETNews报道，这项超低功耗NAND闪存技术由三星先进技术研究院（SAIT）主导研发。该创新结构通过铁电材料与氧化物半导体的独特结合，实现了技术路径的突破，相关研究成果已发表于国际顶尖学术期刊《自然》（Nature）。

作为非易失性存储介质，NAND闪存即使在断电状态下也能长期保存海量数据，其工作原理是通过向存储单元注入电子实现数据写入。为提升存储密度，行业普遍采用堆叠更多存储层的方式构建芯片，但这也显著增加了数据读写过程中的能耗。特别是在大型数据中心场景下，功耗问题已成为亟待解决的关键瓶颈。

三星研发团队通过创新技术路径成功攻克了这一难题。氧化物半导体因阈值电压不稳定而难以控制，长期以来被视为技术障碍；然而研究团队另辟蹊径，将其与铁电结构协同设计，变“劣势”为优势：铁电材料具备自维持电极化特性，无需持续供电即可保持状态。

得益于这项创新设计，新架构实现了高达96%的功耗降幅。三星强调，该突破完全依托其内部自主研发，由三星电子SAIT与半导体研究所共计34名研究人员共同完成。

“我们已经验证了实现超低功耗NAND闪存的可行性。”三星电子SAIT研究员、本论文第一作者Yoo Si-jeong表示，“在AI生态系统中，存储器的作用日益关键。未来我们将持续推进后续研究，目标是实现该技术的商业化落地。”

与此同时，三星正着力提升其存储业务盈利能力。面对DDR5、LPDDR5X及GDDR7等DRAM产品需求持续攀升的市场环境，公司将重点优化高附加值产品的供应策略，以强化盈利结构。