三星研新型 NAND 闪存技术:功耗骤降 96% 实现突破
11月27日,三星公司公布了一项重大技术突破:其研发团队成功开发出一种新型NAND闪存结构,能够将功耗降低超过90%。这一创新成果有望重塑人工智能数据中心、移动设备及各类依赖存储芯片的终端产品的未来格局。

据韩国媒体ETNews报道,这项超低功耗NAND闪存技术由三星先进技术研究院(SAIT)主导研发。该创新结构通过铁电材料与氧化物半导体的独特结合,实现了技术路径的突破,相关研究成果已发表于国际顶尖学术期刊《自然》(Nature)。
作为非易失性存储介质,NAND闪存即使在断电状态下也能长期保存海量数据,其工作原理是通过向存储单元注入电子实现数据写入。为提升存储密度,行业普遍采用堆叠更多存储层的方式构建芯片,但这也显著增加了数据读写过程中的能耗。特别是在大型数据中心场景下,功耗问题已成为亟待解决的关键瓶颈。
三星研发团队通过创新技术路径成功攻克了这一难题。氧化物半导体因阈值电压不稳定而难以控制,长期以来被视为技术障碍;然而研究团队另辟蹊径,将其与铁电结构协同设计,变“劣势”为优势:铁电材料具备自维持电极化特性,无需持续供电即可保持状态。
得益于这项创新设计,新架构实现了高达96%的功耗降幅。三星强调,该突破完全依托其内部自主研发,由三星电子SAIT与半导体研究所共计34名研究人员共同完成。
“我们已经验证了实现超低功耗NAND闪存的可行性。”三星电子SAIT研究员、本论文第一作者Yoo Si-jeong表示,“在AI生态系统中,存储器的作用日益关键。未来我们将持续推进后续研究,目标是实现该技术的商业化落地。”
与此同时,三星正着力提升其存储业务盈利能力。面对DDR5、LPDDR5X及GDDR7等DRAM产品需求持续攀升的市场环境,公司将重点优化高附加值产品的供应策略,以强化盈利结构。
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