三星HBM研发回归正轨：解散“救火队”恢复常态化运营

11 月 28 日，韩媒 Business Korea 发布报道称，三星电子宣布进行重大组织架构调整，正式解散成立仅一年的高带宽内存（HBM）特别开发团队，并将相关人员与业务并入 DRAM 开发部门下属的设计团队。

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援引博文介绍，在昨日举行的高管通报会上，三星电子官宣重组半导体（DS）部门，核心变动在于撤销了去年 7 月专门成立的 HBM 开发团队，将相关研发人员全数划归至 DRAM 开发部门旗下的设计团队。

该媒体认为，高带宽内存业务将不再作为独立的“特种部队”存在，而是回归存储芯片的主流研发体系，进一步增强与 DRAM 产品的协同效应。

伴随架构调整，此前领导 HBM 开发团队的副社长孙永秀（Son Young-soo）被任命为 DRAM 部门下属的设计团队负责人。在新架构下，孙永秀将继续带领原班人马，专注于 HBM4 及 HBM4E 等下一代高性能存储产品的研发工作。

此次重组距该团队成立仅过去一年多。去年 5 月，全永铉（Jeon Young-hyun）出任 DS 部门负责人后，为应对在 HBM 市场落后于 SK 海力士的被动局面，紧急组建了该独立团队以集中攻关。

业界普遍解读，如今将其重新并入 DRAM 部门，释放了强烈的积极信号：三星判定其在 HBM4 等下一代产品上已掌握核心竞争力，渡过了需要“集中力量补短板”的应急阶段，转而追求技术底层的深度整合。