三星HBM研发回归正轨:解散“救火队”恢复常态化运营
11 月 28 日,韩媒 Business Korea 发布报道称,三星电子宣布进行重大组织架构调整,正式解散成立仅一年的高带宽内存(HBM)特别开发团队,并将相关人员与业务并入 DRAM 开发部门下属的设计团队。
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援引博文介绍,在昨日举行的高管通报会上,三星电子官宣重组半导体(DS)部门,核心变动在于撤销了去年 7 月专门成立的 HBM 开发团队,将相关研发人员全数划归至 DRAM 开发部门旗下的设计团队。
该媒体认为,高带宽内存业务将不再作为独立的“特种部队”存在,而是回归存储芯片的主流研发体系,进一步增强与 DRAM 产品的协同效应。

伴随架构调整,此前领导 HBM 开发团队的副社长孙永秀(Son Young-soo)被任命为 DRAM 部门下属的设计团队负责人。在新架构下,孙永秀将继续带领原班人马,专注于 HBM4 及 HBM4E 等下一代高性能存储产品的研发工作。
此次重组距该团队成立仅过去一年多。去年 5 月,全永铉(Jeon Young-hyun)出任 DS 部门负责人后,为应对在 HBM 市场落后于 SK 海力士的被动局面,紧急组建了该独立团队以集中攻关。
业界普遍解读,如今将其重新并入 DRAM 部门,释放了强烈的积极信号:三星判定其在 HBM4 等下一代产品上已掌握核心竞争力,渡过了需要“集中力量补短板”的应急阶段,转而追求技术底层的深度整合。
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