三星突破性NAND闪存：功耗骤降96% 赋能AI与移动设备

11月27日，三星电子正式宣布成功研发出一种能够显著降低NAND闪存功耗的全新技术，预计将有力推动人工智能数据中心、边缘计算及移动终端在能效与容量方面的协同发展。

这项重要研究成果由三星综合技术院与半导体研究所的34名科研人员联合取得，相关论文《应用于低功耗NAND闪存的铁电晶体管理论探索》已在国际顶级学术期刊《自然》上正式发表。研究团队突破传统技术路线，重新评估了氧化物半导体材料在NAND闪存中的应用潜力，利用其独特的"阈值电压"特性，有效解决了高堆叠3D NAND架构中的漏电流难题，从而实现了能效的大幅跃升。

在传统NAND闪存技术中，随着存储密度与堆叠层数的持续提升，单元串结构在关断状态下仍会产生漏电流，导致读写功耗呈指数级增长。三星创新性地引入铁电晶体管理论，实现了对阈值电压以下电流的精确调控，在保持高存储密度的同时，显著优化了整体能耗表现。

据技术团队测算，相较于现行NAND闪存方案，这项突破性技术最高可降低96%的运行功耗。若未来实现商业化应用，将助力人工智能数据中心大幅削减电力成本，同时显著延长智能手机等移动设备的电池续航能力。

论文第一作者、三星首席研究员柳时正表示，该研究验证了超低功耗NAND闪存的技术可行性，后续将着力推进其产业化进程，以期在人工智能生态系统中发挥关键支撑作用。随着人工智能应用对高效存储需求的持续升温，三星这一技术突破有望成为下一代存储芯片发展的重要里程碑。