三星电子或将削减HBM3E产能，增产1b纳米通用DRAM以实现利润最大化
12月2日消息，韩国媒体DealSite昨日报道称，三星电子正考虑将其用于HBM3E内存供应的1a纳米DRAM产能削减30%至40%，同时计划通过制程转换，将这部分产能调整为生产通用内存产品的1b纳米工艺，以实现利润最大化。
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值得注意的是，三星电子的HBM3和HBM3E内存均基于1a纳米DRAM技术，而下一代HBM4则计划采用1c纳米工艺。目前，1b纳米工艺的产能已全部由通用内存产品占据。
受AI需求爆发、HBM产能挤占以及短期扩产幅度有限等因素影响，DDR5、LPDDR5x、GDDR7等通用内存产品近期价格经历了一轮快速上涨。对三星电子而言，其1b纳米产能的盈利能力反而超出了传统预期中受益于HBM高价的1a纳米工艺。
尽管三星电子最终仍成为英伟达的HBM3E供应商，但其供货规模相对有限。此外，三星HBM3E的平均售价本身就比SK海力士低出三成，而自2026年起HBM3E价格还将进一步下降30%。
消息人士指出，若三星将1a纳米工艺中30%至40%的产能，以及1z纳米等更成熟制程的产能切换至1b纳米，则1b纳米晶圆的投片量有望每月额外增加8万片。
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