华邦电子发布8Gb DDR4 DRAM：16nm工艺助力工业与嵌入式应用

12月5日，华邦电子正式发布全系列8Gb DDR4 DRAM产品。这款采用华邦自有16纳米先进制程技术的存储器，在保证封装尺寸不变的前提下，实现了更高运行速度、更低功耗与更优成本效益的完美平衡，可广泛适用于智能电视、服务器系统、网络通信设备、工业计算机及各类嵌入式应用场景。

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得益于16纳米工艺加持，新一代DDR4产品在性能层面实现显著突破。相较前代技术，该制程不仅具备更小的芯片尺寸与更高的晶圆良率，更在能效表现上实现跨越式提升，助力客户在同等封装规格下集成更大容量的存储单元。

通过制程优化，产品信号完整性得到进一步加强，在有效降低漏电率的同时，确保在高达3600Mbps的数据传输速率下仍能保持稳定运行。

作为业内首款支持3600Mbps传输速率的DDR4产品，华邦8Gb DDR4 DRAM成功突破现有DDR4标准上限，可充分满足高速运算应用对数据处理的严苛要求。借助16纳米技术带来的芯片面积优化，该产品能够在相同封装尺寸内提供更大存储容量，为降低系统整体成本创造有利条件。

华邦电子拥有从芯片设计、16纳米制程研发到量产制造的全流程自主能力，可为工业级客户及KGD（ Known-Good-Die）用户提供可靠的供应链保障与专业技术支持。

基于统一的16纳米技术平台，华邦正同步推进另外三款DRAM产品的研发，包括CUBE系列、8Gb LPDDR4及16Gb DDR4，进一步拓展其新一代内存产品的市场布局。