国产专利突破:四年前已为2nm工艺无EUV光刻机布局

12月6日消息显示，在先进工艺发展路径中，5纳米及以下技术节点已普遍转向EUV（极紫外光刻）工艺。深紫外光刻技术微缩至7纳米已面临显著挑战，但这显然不是国内技术发展的终点。未来，国内工艺甚至有望一路推进至2纳米级别。

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国内半导体工艺在未来数年内需在无EUV设备的条件下寻求突破。不过，即便不考虑外部制裁带来的影响，探索深紫外光刻工艺的极限同样势在必行。事实上，国内相关机构早已在这些领域展开深入研究。

集邦科技日前的报道也再次提及，指出华为早在2024年就已发表相关研究论文。其提交的专利申请介绍了SAQP（自对准四重图形化）技术，表明即便在没有EUV光刻机的情况下，也能实现2纳米级工艺。

该专利方案利用深紫外光刻机结合SAQP技术，可使芯片栅极间距做到低于21纳米，而这正是衡量2纳米工艺水平的关键门槛。

这里需要强调的是，许多报道将SAQP翻译为“四重光刻”，这其实是一种误解。四重图形化不等于四重光刻，两者在技术含义上有天壤之别。四重光刻无论在技术上还是成本上，都难以被业界接受，几乎不具备量产可行性。

此外，2纳米工艺也并非华为等机构的终极目标。华为还申请了多项围绕GAA环绕栅极晶体管以及CFET互补式氧化半导体管的相关专利。后者更是业界公认的、实现1纳米以下直至0.1纳米节点的关键技术之一。