台积电助力日本芯片工艺从28nm跃升至4nm关键时刻
12月11日,一则行业消息传出,沉寂已久的日本半导体产业或将迎来重大转折。四十年前日本曾是全球半导体领域的引领者,但近年已逐渐退居为设备和材料供应商的角色,其先进的制造工艺缺席多年,本土自研工艺水平也长期停留在28纳米以上。
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然而如今局面可能出现转机,日本有望实现从28纳米制程直接向4纳米的跨越。这一变化的关键在于,台积电在日本熊本投建的第二工厂原定工艺为6/7纳米,但近期该计划已经暂停。
此次暂停并非台积电放缓对日投资,而是为了进行工艺升级。由于当前市场对6/7纳米工艺的需求有限,若新建工厂可能加剧产能过剩。因此有消息人士透露,台积电计划将第二工厂直接升级至4纳米工艺,以满足人工智能芯片日益增长的市场需求。
台积电公司今日也对此消息作出回应,表示公司不评论市场传闻或猜测,并强调在日本的专案仍在持续推进中。
尽管台积电表态在日投资将持续,实际情况却更为复杂。不仅二期工厂建设暂停,已建成的一期工厂也暂缓了扩产计划。该厂主要生产40/28纳米以及16/12纳米工艺的芯片产品,原计划在2026年新增设备,但台积电已向设备供应商明确,明年一整年都暂无增加设备的安排。
不过,二期工厂真要升级到4纳米工艺也并非易事。因为4纳米制程需要极紫外光刻设备的支持,不仅投资将大幅增加,厂房设计等环节也需相应调整。
因此二期工厂还存在另一种可能:改造为先进封装厂。当前AI芯片对CoWoS封装的需求极高,而此前CoWoS封装主要在台积电本土工厂进行。在日本扩充CoWoS产能,也有助于缓解AI芯片产能不足的压力。
这一切目前尚无定论,但无论台积电最终采用哪种方案,日本在先进工艺及封装领域都将向前迈进一大步。

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