台积电助力日本芯片工艺从28nm跃升至4nm关键时刻

12月11日，一则行业消息传出，沉寂已久的日本半导体产业或将迎来重大转折。四十年前日本曾是全球半导体领域的引领者，但近年已逐渐退居为设备和材料供应商的角色，其先进的制造工艺缺席多年，本土自研工艺水平也长期停留在28纳米以上。

然而如今局面可能出现转机，日本有望实现从28纳米制程直接向4纳米的跨越。这一变化的关键在于，台积电在日本熊本投建的第二工厂原定工艺为6/7纳米，但近期该计划已经暂停。

此次暂停并非台积电放缓对日投资，而是为了进行工艺升级。由于当前市场对6/7纳米工艺的需求有限，若新建工厂可能加剧产能过剩。因此有消息人士透露，台积电计划将第二工厂直接升级至4纳米工艺，以满足人工智能芯片日益增长的市场需求。

台积电公司今日也对此消息作出回应，表示公司不评论市场传闻或猜测，并强调在日本的专案仍在持续推进中。

尽管台积电表态在日投资将持续，实际情况却更为复杂。不仅二期工厂建设暂停，已建成的一期工厂也暂缓了扩产计划。该厂主要生产40/28纳米以及16/12纳米工艺的芯片产品，原计划在2026年新增设备，但台积电已向设备供应商明确，明年一整年都暂无增加设备的安排。

不过，二期工厂真要升级到4纳米工艺也并非易事。因为4纳米制程需要极紫外光刻设备的支持，不仅投资将大幅增加，厂房设计等环节也需相应调整。

因此二期工厂还存在另一种可能：改造为先进封装厂。当前AI芯片对CoWoS封装的需求极高，而此前CoWoS封装主要在台积电本土工厂进行。在日本扩充CoWoS产能，也有助于缓解AI芯片产能不足的压力。

这一切目前尚无定论，但无论台积电最终采用哪种方案，日本在先进工艺及封装领域都将向前迈进一大步。