台积电赴美投资扩至2千亿,先进制程因N-2规则受限

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近年来,台积电在美国投资建厂的计划不断加码。这家原本并无赴美设厂打算的半导体巨头,迫于外部压力,逐步调整了其全球布局策略。最新承诺的投资额已高达1650亿美元,而美方近期释放的信号更显示,他们希望这一数字能进一步提升至2000亿美元以上。
除了巨额资金投入,台积电还需将先进制程技术转移至美国的生产基地。其位于美国的一期工厂原定生产5纳米芯片,但在去年底投产时已升级为4纳米工艺。目前正在推进的二期工程预计将导入3纳米制程技术。后续规划更涵盖了从2纳米到1.4纳米节点的产能布局,这意味着相关先进工艺将分阶段逐步在美国落地。
随着先进技术外移,外界普遍担忧核心技术泄露的风险。对此,台积电多次回应称,最尖端的量产工艺仍将保留在总部所在地,不会对外转移。近日,更有相关部门透露监管方向,明确关键技术将受到严格管控,涉及人员亦被纳入管理范围。
为进一步规范技术输出,未来台积电向海外转移技术需遵循“N-2”原则。即海外工厂所采用的制程工艺,必须比本土量产的最先进节点落后两代。例如,若台积电当前最先进量产工艺为2纳米(N2),则海外基地最高仅能生产5纳米(N5)级别芯片,中间恰好相隔一代。
展望未来,即使台积电实现了1.4纳米(A14)工艺量产,美国工厂也仅可启动2纳米生产,其间仍相差约一代的技术距离。此项机制旨在确保核心技术优势保留在本土,同时控制先进技术扩散的节奏与范围。
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