揭秘英特尔Fab 52工厂：15台EUV光刻机月产超4万晶圆

12月24日消息，媒体CNBC于12月21日发布博文，探访了英特尔在美国亚利桑那州的Fab 52工厂，并指出在这场与台积电争夺全球先进制程主导权的竞赛中，英特尔凭借其在美国本土市场的布局获得了显著优势。

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以下是完整的探访视频：

CNBC的报道及行业分析显示，英特尔位于亚利桑那州钱德勒的Fab 52工厂，无论在占地面积、设备先进程度还是制造规模上，均已超越台积电在该州的Fab 21一期及建设中的二期设施。

Fab 52目前已部署了四台ASML Twinscan NXE系列Low-NA EUV（低数值孔径极紫外）光刻机。值得注意的是，其中包括至少一台NXE:3800E系统，这是ASML当前最高端的Low-NA机型。

该设备引入了下一代High-NA光刻机的晶圆处理程序和光源技术，在30 mJ / cm² 剂量下，每小时晶圆处理量高达220片。此外，工厂还配备了三台NXE:3600D系统（处理速度160 wph）。

英特尔在Ocotillo园区规划了至少15台EUV光刻机的安装空间，为未来引进更先进的High-NA设备预留了充足的余地。

在产能与技术节点的对比中，英特尔Fab 52优势明显。台积电Fab 21一期主要生产N4和N5工艺芯片，单模块月产能约为2万片晶圆。

相比之下，英特尔Fab 52专注于更先进的18A（1.8nm及以下）制程，其月产能是台积电的2倍，预计将超过4万片。即使台积电具备N3能力的二期工厂完工，英特尔在制程代际和总吞吐量上仍将保持领先或持平。

考虑到18A工艺的复杂性远超N4，英特尔在实现这一产能规模的背后，实际上承担了更高的技术难度与制造工作量。

不过报告也指出，尽管硬件参数亮眼，但英特尔在生产节奏上面临挑战。Fab 52目前正处于Panther Lake处理器的早期生产阶段，使用的是尚未完全成熟的18A技术。英特尔预计，18A的良率要到2027年初才能达到世界级水平。

在此之前，为了控制成本和风险，工厂不会强行拉满产能，这意味着部分昂贵的产能将暂时闲置。相反，台积电在美国采用的是已经验证过的成熟工艺，能够迅速实现近100%的产能利用率。这场“先进性”与“成熟度”的博弈，将是未来三年美系芯片制造的关键看点。