英伟达Rubin将推动3D打印量产,金属制造新机遇
2026年1月7日,南极熊获悉,英伟达在 2026 年 CES 展会上已经正式发布了新一代 Rubin(鲁宾) 架构平台。根据目前的最新信息,Rubin 系列计划于 2026 年下半年进入大规模量产
2026年1月7日,南极熊获悉,英伟达在当年的CES展会上正式公布了新一代“Rubin”(鲁宾)架构平台。最新信息显示,Rubin系列计划在2026年下半年投入大规模量产和交付。

架构演进路线如下:
2026年:Rubin GPU(搭载HBM4显存)。
2027年:Rubin Ultra GPU(性能进一步增强,可能集成更多HBM4堆栈)。

散热技术演变:从液冷到“微通道”与“温水冷却”
由于Rubin架构单颗芯片的功耗预计将突破1500瓦至2000瓦(甚至有传闻称Rubin Ultra可能接近2300瓦),传统的风冷乃至标准液冷已难以满足散热需求。为此,英伟达采用了以下核心散热工艺:
全系统100%液冷覆盖 + 45°C温水冷却方案
100%全液冷覆盖:其旗舰级的Vera Rubin NVL72机架式系统,采用了无缆线化、无风扇的模块化设计,构建起“精准温控 + 高效换热”的整机散热生态。
45°C温水冷却方案:该方案无需传统高能耗的冷水机组,可直接利用自然环境冷却或温水循环进行散热,能显著降低数据中心的整体能耗。预计能为全球数据中心节省约6%的总电力消耗。
液冷托盘设计:完全摒弃了传统电缆和软管。所有芯片通过定制基板实现紧密互连,仅需外部两根液冷进出水管连接到冷却模块。
液态金属界面材料(Liquid Metal TIM):继Blackwell架构试水后,Rubin极有可能全面普及液态金属以取代传统的硅脂。利用其极高的导热率(如Ga-In-Sn合金)来连接GPU核心与散热器。
可能大量应用金属3D打印?
有业内人士向南极熊透露,Rubin大概率会用到金属3D打印技术,且该技术正成为关键工艺,特别是3D打印铜。尽管英伟达最新的宣传中不会大肆强调“3D打印”,但其散热供应链(如Fabric8Labs、中国供应链等厂商)已经开始利用金属增材制造技术来生产满足Rubin级别需求的冷板。
为何要采用3D打印?
传统的散热器制造工艺(如CNC铣削或铲齿工艺)在面对Rubin这类超高性能芯片时,已触及物理极限。金属3D打印带来的变革主要体现在三个维度:
针对“热图”的动态定制(Hotspot Matching):AI芯片表面的发热并不均匀。3D打印允许在冷板内部设计非对称的微通道。在GPU核心最热的区域,可以打印更密集的3D点阵或微型喷射结构;在低温区则设计更宽的通道以减少流阻。
极致的表面积增益:通过3D打印生成的“微米级三周期极小曲面”或格栅结构,其换热表面积可比传统微通道提高900%。这使得冷板在极小的空间内拥有极其高效的换热能力。
消除泄漏风险(一体化成型):传统的冷板需要焊接或密封圈连接多个组件,在高压力液冷系统中是潜在的泄漏点。3D打印可实现一体化制造,将流道、接口、固定位一次性成型,显著提升了数据中心内部数万颗芯片运行时的可靠性。
降低热阻(降温约7.5°C):最新的行业数据显示,相比传统冷板,采用3D混合单元结构的冷板能使Rubin GPU的核心温度降低约7.5°C。这几度的差距直接决定了GPU能否维持在最高的睿频频率。
具体工艺:一些供应商采用了电化学增材制造或激光粉末床熔融金属3D打印技术,直接在铜基材上打印出高分辨率的微米级散热结构。这种技术能将散热效率提升约40%-50%。
电化学金属3D打印:这类似于一种高效的“像素级”电镀。它不需要激光和粉末,而是在室温下通过电化学反应,像素级地“生长”出高纯度铜结构。其优势在于精度极高(微米级),且没有残余应力,非常适合在芯片表面或超薄衬底上直接生长冷却结构。
其他潜在应用组件
除核心散热器外,Rubin平台设计中的其他部件也可能受益于金属3D打印:
· 计算托盘中的结构件:Rubin的计算托盘采用了高度集成的无电缆化设计,内部结构复杂。金属3D打印适合制造此类轻量化、一体化的定制支架或外壳。
· 液冷管路与接头:整个Rubin平台采用全液冷设计。金属3D打印可用于制造空间受限或需要特殊流道优化的管路接口和歧管。
· 电源与网络模块外壳:为匹配高效的散热和紧凑的布局,这些模块的外壳可能采用带有定制散热鳍片或内部通道的一体化设计,金属3D打印能实现这种功能集成。

▲AI生成的示意图
然而,英伟达的供应链最终会如何应用金属3D打印,即便用上了,又会用到多少零部件中,目前还没有明确的消息。但毫无疑问,业界已经对此工艺给予了高度关注和重视。
总结
Rubin平台的散热革新,不仅解决了自身高密度计算的散热难题,更代表了数据中心散热技术的重大转变——从依赖冷水机组的传统冷却模式,转向更高效、更环保的温水冷却方案,为AI超算的可持续发展奠定了基础。
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