SK海力士无锡厂DRAM制程升级完成,产能提升新进展
1月19日消息,韩国媒体ETNews于本月14日报道称,SK海力士已完成对其中国江苏无锡DRAM内存晶圆厂的制程转换工作,主要工艺已从1z纳米升级至1a纳米。
无锡晶圆厂贡献了SK海力士约三分之一的DRAM产能,报道指出,目前该厂每月18万至19万片的12英寸晶圆投片中,已有大约九成是1a纳米制程。由于1a纳米工艺需要使用EUV光刻设备,但相关设备的进口受到限制,因此无锡厂生产的1a纳米产品需要在韩国完成部分制造步骤。

SK海力士对于ETNews的最新报道未予置评。
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