美光建厂引爆存储芯片战:美拟对非本土厂商征收100%关税
2026年1月18日,在美光位于纽约州的新厂奠基仪式上,美国商务部长霍华德·卢特尼克明确表示,全球存储芯片制造商必须做出选择:要么在美国本土建设生产基地,否则将面临最高达100%的惩罚性关税。这一表

当地时间1月18日,在美光位于纽约州的新厂奠基仪式上,美国商务部长霍华德·卢特尼克明确表态,全球存储芯片制造商必须做出选择:要么在美国本土建设生产基地,否则将面临最高达100%的惩罚性关税。这一表态标志着美方政策重心正从逻辑芯片转向存储芯片领域,尤其聚焦于DRAM产业链的本地化布局。
此前,多家国际半导体企业已响应美国推动本土制造的号召进行投资,如今政策压力进一步加码,目标直指尚未在美国部署DRAM产能的主要厂商。尽管三星电子与SK海力士均已在美设立相关设施,但其现有规划尚不满足新政对本地化生产的核心要求。
三星虽已宣布在美开展半导体前道与后道工序投资,但截止目前,并无新建专用于DRAM制造的晶圆厂计划。而SK海力士近期公布的印第安纳州西拉法叶项目,投资金额为40亿美元,主要用于2.5D先进封装技术及研发平台建设,亦未覆盖DRAM晶圆生产线。这意味着两家韩国企业在当前框架下仍可能被纳入高关税覆盖范围。
目前,仅有美光科技明确推进在美国本土大规模生产DRAM芯片,成为唯一符合政策导向的主要供应商。一旦新规实施,三星与SK海力士将面临显著的市场与运营压力,其在美国市场的竞争力或将受到严重冲击。
这项政策的推出正值全球存储供需关系本就偏紧之际。受人工智能技术快速发展的推动,市场对高性能内存需求激增,DRAM价格已处于多年高位,产能扩张受限于技术门槛与资本投入周期。在此背景下,若再叠加高额进口关税,供应链整体成本势必进一步上升。
分析指出,强制性关税措施可能导致存储产品价格再度攀升,不仅加剧AI硬件的采购负担,还可能拖慢相关技术的大规模落地进程。产业链上下游企业以及终端消费者,最终都将承担由此带来的成本转嫁压力。在全球科技竞争日益激烈的当下,这一举措或将在重塑产业格局的同时,引发新一轮的成本与效率博弈。
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