存储短缺预警：多个行业预测超级周期将持续两至三年

随着一场席卷全球的人工智能基础设施建设热潮持续升温，人们真切地感受到，存储芯片的供应紧张局面可能会超出预期，延续更长时间。那么，这一轮短缺究竟还会持续多久呢？

多位半导体行业的资深从业者给出了相似的判断：短缺的状况很可能至少还将持续两到三年。

内存短缺或延续至明年

近年来，随着巨额资本持续涌入数据中心等基础设施的建设，市场对内存芯片的需求达到了前所未见的高度。这导致半导体价格出现了前所未有的上涨，而这一上涨趋势在今年仍将继续。

全球EDA和半导体IP领域的龙头企业新思科技的首席执行官萨西尼·加齐在接受采访时表示，芯片“短缺”现象将在2026年和2027年持续上演。

加齐指出，当前，全球顶尖厂商的大部分内存芯片“直接流向了人工智能基础设施，但众多其他产品同样需要内存，因此这些市场正因产能不足而陷入困境。

他表示，三星、SK海力士和美光作为全球最大的内存公司，尽管正致力于扩大生产，但要实现扩产目标，至少需要两年的时间。这也是此次短缺将持续下去的原因之一。

“眼下对内存公司来说堪称一个黄金时期，”加齐说道。他还补充称，内存价格的上涨意味着消费电子公司可能不得不考虑提价，而这一趋势目前“已经在发生”。

我们正处于“超级周期”

通常来说，内存价格会经历供应短缺或供应过剩的周期性变化，这种周期决定了这些组件的价格。然而，越来越多的行业人士和分析师感到，当前的内存正处在一个“超级周期”——换言之，供应短缺的情况将比过去持续更长时间，内存的涨价潮也将会比过去持续更久、范围更广。

事实上，美光科技在去年底发布2026财年第一季度业绩报告时就曾做出过这样的预测。

美光表示，持续的行业需求加上供应限制，导致存储市场供应紧张，预计这种情况将持续到2026年之后。这意味着市场上行周期至少会持续三年，甚至可能更久。

推动这一趋势的主要因素是HBM芯片的强劲需求。美光预测，到2028年，HBM总潜在市场将以约40%的年复合增长率增长，从2025年的大约350亿美元增长到2028年的大约1000亿美元。

与此同时，NAND的需求往往会跟随HBM一同上涨，这表明当前的存储上升周期可能会从2024年持续到2028年。

布鲁姆斯伯里情报与安全研究所则指出：

“全球内存市场正经历一场结构性危机，其原因是制造商将晶圆产能从DRAM重新分配到用于HBM芯片上。因此，DRAM价格同比上涨了171%，而DDR5现货价格自2025年9月以来已经翻了两番。

这种情况会持续多久？存储器价格可能在2027-2028年期间保持高位，只有当新的制造设施实现量产时，价格才有可能部分恢复正常；如果随着产能的扩张，人工智能需求放缓，那么可能要到2028-2029年才会出现供应过剩的情况。

行业分析公司IDC也强调了半导体“超级周期”已经到来。他们表示：“在经历了2024年的调整和2025年的复苏之后，2024年至2028年的长期半导体收入增长仍有望实现两位数的年复合增长率。”

华尔街投行做出类似预测

在华尔街，高盛和野村等投资机构也已经做出了类似的判断。

高盛在近期的调查报告中指出，自新年伊始，DDR5现货价格已出现大幅上涨，而DDR4现货价格自2025年9月开始上涨，目前仍呈上升趋势。这意味着DRAM合约价格近期上涨动力强劲，原因是DDR5/DDR4现货价格已经相对于合约价格产生了巨大溢价。

高盛还预测，全球存储巨头三星今年的DRAM芯片平均定价将会每个季度环比增长，尤其是一季度增幅预计可达50%。

野村在近期的报告中指出，全球存储器市场正在经历前所未有的“三重超级周期”，预计在2026年，DRAM、NAND和HBM的需求将同时激增。

野村还判断称，在强劲的需求增长和有限的供应扩张影响下，这一超级周期将持续到2027年。