苹果iPhone芯片或由英特尔18A工艺代工，散热隐忧何解
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近日，关于苹果与英特尔深化合作的风声不断，持续引发业内的密切关注。多方信息透露，苹果正认真考虑将部分M系列处理器及非Pro版iPhone芯片的代工业务托付给英特尔。按照现有的路线规划，预计于2027年量产的基础款M系列芯片，以及2028年发布的标准版iPhone芯片，或将采用英特尔先进的18A-P制程工艺。
目前，苹果已与英特尔签署了严格的保密协议，并成功获得了18A-P工艺的设计套件样本，用于后续的技术评估与适配验证。公开资料显示，18A-P是英特尔首个支持Foveros Direct三维混合键合技术的制程节点，该技术依托硅通孔实现多颗芯片颗粒的垂直堆叠，能够显著提升集成密度与芯片内部的互连带宽。
然而，行业内多位资深人士对英特尔承接iPhone芯片代工业务持谨慎甚至怀疑态度，核心分歧聚焦于其背面供电技术。该技术通过在芯片背面布置更短、更粗的金属供电路径，力求降低电压降，从而支撑更高且更稳定的工作频率。台积电在部分先进节点中选择性应用BSPD，以兼顾性能、功耗与散热的综合平衡；而英特尔则在其最前沿的18A与14A制程中全面采用BSPD架构。
问题在于，BSPD技术对于移动终端芯片的实际性能提升效果有限。相反，其带来的热管理挑战尤为突出：由于供电路径转向背面，热量更容易在芯片内部积聚，垂直方向的散热效率较低，横向导热亦受结构限制。在依赖被动散热、空间紧凑且温控严格的智能手机中，此类发热特性难以满足长期稳定运行的要求，甚至可能触发降频或系统保护机制。
因此，多数行业观点认为，短期内英特尔几乎不具备获得iPhone芯片代工订单的现实条件。相比之下，M系列处理器因其设备形态能够提供更充裕的散热空间与更强的主动散热能力，与英特尔的合作仍具备一定的可行性。
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