DRAM等存储芯片价格破纪录,厂商盈利达峰背后存隐忧
据最新市场研究数据显示,截至2026年第一季度末,DRAM、高带宽内存(HBM)及NAND闪存的价格均已攀升至历史最高水平。以64GB RDIMM为例,其单价已由年初的450美元大幅上涨至900美元
最新市场研究数据显示,截至2026年第一季度末,DRAM、高带宽内存(HBM)及NAND闪存的价格均已攀升至历史最高水平。以64GB RDIMM为例,其单价已从年初的450美元大幅上涨至900美元,并预计在第二季度突破1000美元关口。
为应对存储芯片成本持续攀升的压力,智能手机制造商正在调整产品策略:部分机型下调DRAM配置容量;在固态存储方案中,更多采用单位容量成本更具优势的QLC技术替代传统TLC;同时,单款机型的内存规格组合亦趋于精简。在此背景下,LPDDR4内存的采购需求显著减弱,而符合最新标准的LPDDR5内存订单则保持稳步上升态势。
行业分析认为,当前存储器厂商的整体盈利水平已达到历史峰值,其中DRAM业务的营业利润率超过百分之六十。这一高盈利状态或将在未来一段时间内延续,但若进入下一轮周期性调整阶段,企业或将面临更为剧烈的市场波动与经营压力。
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