三星HBM4内存正式量产:速率突破13Gbps业界领先
2月12日消息,据媒体报道,三星日前宣布已正式启动HBM4内存的量产,并同步向客户交付商用产品。
这是业界首次将4纳米制程的基础裸片与1纳米级别DRAM工艺相结合,从量产初期就实现了稳定良率与领先性能,无需额外设计调整,为三星在HBM4市场早期阶段确立了技术主导地位。
三星表示,此次HBM4并未沿用既有成熟设计方案,而是基于自身工艺与设计优化能力,在制程节点上迈出关键一步,为后续性能拓展预留充足空间,能够快速响应客户不断提升的计算需求。
速度方面,三星HBM4已实现11.7Gbps的数据传输速率,较行业标准的8Gbps提升约46%,相比前代HBM3E的最高速率9.6Gbps也高出22%,刷新了HBM4性能标杆。
三星同时具备将速率进一步提升至13Gbps的能力,有助于缓解大模型持续扩展带来的数据瓶颈压力。单堆栈总内存带宽最高可达3.3TB/s,达到HBM3E的2.7倍。
容量配置上,三星HBM4通过12层堆叠技术提供24GB至36GB的容量组合,未来将引入16层堆叠技术,将单堆栈容量扩展至48GB。
伴随接口位宽翻倍至2048位,功耗与散热挑战随之而来。三星将低功耗设计直接集成于核心芯片,采用低电压硅通孔技术与电源分配网络优化方案,使HBM4功耗效率较前代提升40%,热阻降低10%,散热能力提升30%。
凭借在性能、能效与可靠性层面的综合提升,三星HBM4为数据中心环境提供了更优的GPU吞吐量支撑,并助力客户有效控制总体拥有成本。

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