三星研发两款全新HBM：性能提升2.8倍，功耗不变

2月12日消息，人工智能的迅猛发展对高性能存储芯片HBM提出了前所未有的需求，这也成为本轮内存价格大幅上涨的关键推手——三星等半导体巨头纷纷将产能转向炙手可热的HBM领域。

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虽然三星在HBM领域曾被SK海力士和美光抢占先机，但随着HBM4时代的到来，他们正全力追赶。近日三星宣布正式实现量产，但他们的野心远不止于此，目前正在研发两款增强版HBM芯片，分别命名为cHBM与zHBM。

在日前举行的韩国SEMICON+2026大会上，三星设备解决方案部门总裁兼首席技术官宋在赫发表了主题演讲，详细阐述了公司未来的HBM技术发展蓝图。

他特别强调，三星是业内唯一整合了存储芯片设计、代工制造和封装测试全产业链的IDM厂商。公司计划通过设计、工艺、内存和封装的系统级整合方案，实现技术领域的全面领先。

三星正在开发的新一代HBM技术中，cHBM是其定制化解决方案的代表。这项技术让基础核心芯片承担了原本由GPU处理的部分工作，在保持功耗不变的同时，实现了2.8倍的性能飞跃。

关于zHBM的技术细节目前披露有限，但从宋在赫的描述来看，这可能是晶圆键合级别的HBM技术。其发展方向可能与英特尔联合软银开发的ZAM内存技术有相似之处。

从三星的表态可以看出，虽然HBM发展至今性能已经相当强大，但人工智能对算力的需求永无止境，功耗问题也日益凸显。cHBM和zHBM通过定制化设计和更复杂的封装工艺，有望在提升性能的同时有效降低功耗。