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DRAM产能过剩订单排至2028年,内存降价无望成定局

DRAM产能过剩订单排至2028年,内存降价无望成定局

热心网友 时间:2026-02-17
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据业内人士透露,今年第一季度个人计算机及相关设备的DRAM合约报价依然保持强劲上涨态势,同比涨幅达到约50%。相关人士同时指出,公司位于高雄的路竹工厂近期计划增设的DDR4与LPDDR4生产单元尚未投入正式运营,其产能早已被相关方整体提前锁定包销,使得当前供应紧张程度突破历史同期高点。

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内存降价无望 大厂DRAM产能一抢而空 订单排至2028年

面对DRAM货源短缺问题,业内人士表示,以往只需通过本地的几家原始设备与委托代工单位订货即可满足整机工厂的需求,而当前市场格局却发生微妙变化。整机制造商乃至"产品链更上游,终端自有商标客户及其二级服务商"纷纷直接前来洽谈下单,试图直接稳定后续阶段的存储芯片数量。这种"越级预约、跨端签约"的采购行为导致产能预订周期不断向前延伸,目前相关新增排程的交付已被预定至2028年范围,未来数年规划已提前封闭。

部分厂商由于无法获得充足的主流器件,不得不改变原始设计方案、降低规格等级以满足最低需求。方案变更主要集中在大容量改成小容量、高速换成低速、新型平台倒退回前代技术产品——具体比如原设计需要16Gb容量的方案更换为8Gb型号,甚至退回4Gb、2Gb型号;某些厂商为获得基本的器件交付,放弃DDR4设计转而重新采购本已过时的DDR3存储器颗粒。对于这些权宜之计,相关方面亦从经营角度表示"DDR4的市场单价更为理想",对退回旧规格的做法持相对遗憾但基于客户压力仍将履行的态度。

①硬件设施到位时间:新添用于DRAM产品制造的设备有望在五月至六月之间抵达高雄新厂、完成最终组装修整;新一批快闪存储器单元的投资则可能更早完成设备安装调试。
②Flash(非易失存储器)市场同步升温:除DRAM持续吃紧外,NOR Flash以及SLC架构的NAND闪存产品同样存在供需失衡风险,对应物料价格在进入2026年之后保持上涨步调,暂无明显回落迹象。

来源:https://nb.zol.com.cn/1132/11326378.html

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