HBM4价格大涨近30%,存储厂商扩产应对市场缺口
2月19日消息,全球存储芯片供应短缺问题持续发酵,韩国两大半导体巨头正加快产能布局步伐。
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SK海力士计划将龙仁一期晶圆厂投产时间提前,原定于2027年5月竣工的项目,现拟提前至明年初启动试运行。三星电子也准备将平泽P4工厂的投产时间表提前,从原计划的明年第一季度提早至今年第四季度。
根据KB证券最新数据,截至今年2月,三星与SK海力士主要客户的存储芯片需求满足率仅为60%左右,供应紧张程度较去年第四季度进一步加剧。
业内普遍预测,这种供应紧张局面将延续至2027年。花旗集团分析显示,今年DRAM与NAND闪存的供应增速预计分别为17.5%和16.5%,而需求增速则达到20.1%和21.4%,供需缺口持续扩大。
在高带宽存储器领域,价格博弈同样升温。据悉三星新一代HBM4报价约为700美元,SK海力士有望跟进这一价格水平。
这不仅较现有HBM3E产品高出20%-30%,相较去年8月SK海力士供应给英伟达的HBM4价格也上涨近三成。市场预期,受存储芯片量价齐升推动,三星与SK海力士今年第一季度营业利润有望突破30万亿韩元。
与此同时,美国存储芯片大厂美光科技也在加速扩产步伐。该公司近日宣布,计划在新加坡投资240亿美元扩建晶圆制造厂,以应对全球存储芯片短缺问题,加快提升产能供给能力。

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