英伟达新品拉动高端内存需求，三星与SK海力士开启份额争夺

21世纪经济报道 记者 彭新

倘若下一代HBM（高带宽内存）能够顺利通过验证并投入量产，三星与SK海力士将有望进一步扩大其在人工智能市场的领先优势，抢占更高价值的市场份额。这一进展自然成为资本市场持续关注的焦点。

英伟达基于Rubin架构的GPU芯片即将迎来大规模量产节点，市场需求保持强劲势头。今年年初的美国消费电子展期间，英伟达方面确认该芯片已全面投产。相比于上一代Blackwell架构，Rubin在推理性能上最高可提升至5倍，训练性能最高也可提升3.5倍。英伟达首席执行官黄仁勋更是明确表示，训练一个十万亿参数级别的大模型集群，其硬件需求仅为前代的四分之一，效率优势十分显著。

在内存规格方面，Rubin GPU的内存将从HBM3e升级至HBM4，其内存传输速度将提升约1.6倍。从供应链透露的消息来看，目前三星电子与SK海力士主导了HBM4的主要产能。作为高利润产品，HBM4将成为两大巨头营收与利润增长的核心引擎。

随着英伟达Rubin GPU交付在即，两大存储巨头围绕HBM4市场份额的争夺已经悄然拉开序幕。

（资料图）

当前主流的存储芯片主要分为DRAM（动态随机存取存储器）和NAND Flash（闪存）两大类。前者运行速度快，如同一个临时工作台，但断电后数据会丢失，主要产品包括标准DDR系列、LPDDR系列以及HBM等；后者容量大，类似一个存储仓库，即使断电关机依然能保存数据，但运行速度相对较慢。

半导体市场调研机构集邦咨询介绍，HBM主要支持GPU，带宽最高；DDR系列则主要支持x86架构的CPU，而LPDDR系列则支持基于ARM架构的CPU。预计到2025年，这三大产品领域的厂商市占率将由SK海力士、三星、美光位居前列。其中，AI服务器的主要需求内存类型正是HBM和DDR5等。

市场调研机构Omdia数据显示，三星电子在2025年第四季度的DRAM市场份额达到36.6%，SK海力士以32.9%位居第二，这主要得益于三星在HBM业务上的扩张带动。

在高度集中的存储市场中，AI服务器的需求正重塑竞争格局。全球存储芯片供应日益趋紧，可能制约人工智能算力投资。随着数据中心建设加速，HBM以及其他先进存储芯片的需求正超出预期地激增。SK海力士预计，从2025年到2030年，HBM市场将实现年均33%的高速增长。

在两大韩国存储巨头之中，SK海力士正深耕HBM4以保持市场领先地位。近期，SK海力士董事长崔泰源在一次会议上表示，将继续扩大AI存储芯片的产量，以满足全球数据中心建设带来的旺盛需求。崔泰源还提到，HBM（高带宽内存芯片）已经为SK海力士带来了巨额利润。此外，公司还与合作伙伴共同开辟存储新赛道，推动HBF（高带宽闪存）标准以弥合HBM与SSD之间的性能断层，计划在2027年初实现商用落地。

相比之下，三星则充分发挥其庞大的技术底蕴和产业链垂直整合能力，成为AI供应链中不可或缺的一环，正努力缩小与SK海力士之间的差距。

2月12日，三星宣布其HBM4内存已正式进入量产交付阶段，并已开始向客户供货，成为全球首家实现HBM4商业化的供应商。据三星介绍，HBM4可提供高达11.7Gbps的传输速度，性能未来还可进一步提升至13Gbps，有望缓解随着AI大模型规模不断扩大而带来的数据瓶颈问题。

产品规划上，三星从2月开始HBM4的出货，年中开始为客户提供HBM4E样品，并在下半年推出基于HBM4的定制HBM产品。

展望2026年，三星称将重点推进HBM4产品的批量生产，计划推进1c制程产能扩张。此外，公司还将集中扩大HBM、DDR5、LPDDR5x及高密度QLC SSD等其他高附加值产品的销量。三星表示，目前2026年所有HBM产能都已被客户锁定，预计销售将实现大幅增长，同比增幅超过3倍。

在AI浪潮的持续席卷下，全球存储芯片价格持续上涨。

集邦咨询研报显示，随着大模型应用从训练端向推理端加速落地，云服务提供商的资本开支重心正发生显著转移。这一变化不仅让通用服务器重回采购C位，更引爆了常规DRAM的采购需求，厂商积极追加订单，推动全球DRAM产业在2025年第四季度实现大幅增长。当季，全球DRAM产业营收达到535.8亿美元，环比大幅增长29.4%。

由于存储供不应求的局面短期难以缓解，议价天平已完全向原厂倾斜。在刚刚过去的2025年第四季度，由于各类买方需求均无法得到完全满足，市场恐慌性备货情绪蔓延。数据显示，2025年第四季度常规DRAM合约价强势上涨45%~50%，包含HBM在内的整体DRAM合并合约价涨幅更是达到50-55%。

展望2026年第一季度，集邦咨询称，尽管消费电子市场将进入传统淡季，预计存储原厂出货增速将放缓甚至持平，但供需双方价格端的博弈将更加激烈。预计多数存储产品的合约价涨幅将再次大幅加速，估计最终常规DRAM合约价将上涨90-95%，而包含HBM在内的整体DRAM合并合约价涨幅将达到80%~85%。

对于AI带来的存储大周期，尤其是HBM的供需问题，此前中芯国际联合首席执行官赵海军在2025年四季度财报会上分析称，当前行业对AI算力存在宏大设想，试图将未来十年的基建需求压缩在这一两年内完成，这导致大量现有产能被调配至AI特别是HBM领域。然而，AI对高端存储的需求并不仅仅是前端晶圆产能问题，更关键的约束在于后端工艺：用于HBM相关产品的倒角、背面减薄、封装测试等环节的导入和扩产节奏明显慢于晶圆制造，“即便把更多晶圆产能转向AI，也未必能立刻解决供给问题。”