台积电发布四款芯片新产品与技术创新亮点

在近日开幕的SEMICON China期间，中微公司（代码：688012）宣布推出四款覆盖硅基及化合物半导体关键工艺的新产品，包括新一代电感耦合ICP等离子体刻蚀设备Primo Angnova™、高选择性刻蚀机Primo Domingo™、Smart RF Match智能射频匹配器以及蓝绿光Micro LED量产MOCVD设备Preciomo Udx®，进一步丰富了公司在刻蚀设备、薄膜沉积设备及核心智能零部件领域的产品组合及系统化解决方案能力。

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从具体产品应用场景来看，随着逻辑芯片向5纳米及以下节点迈进和先进存储芯片对高深宽比刻蚀的要求日益严苛，刻蚀设备面临着对刻蚀精度、均匀性、深宽比等多重挑战。Primo Angnova™ ICP单腔刻蚀系统正是为应对这些挑战而生。

中微公司表示，Primo Angnova™的推出，为5纳米及以下逻辑芯片技术以及同等技术节点难度的先进存储芯片的制造领域，提供了自主可控、技术领先的ICP刻蚀工艺解决方案，助力客户提升先进制程产能，降低生产成本，持续增强市场竞争力。

Primo Domingo™则是攻克GAA与3D-DRAM的高选择比刻蚀难题。据了解，如今，芯片架构三维化正成为支持芯片持续缩微的重要动能，而高选择性刻蚀工艺是三维器件制造的最关键工艺之一。针对GAA、3D NAND、DRAM等器件工艺需求, 中微公司正式推出Primo Domingo™高选择性刻蚀设备。

“该产品的推出，标志着公司在高选择性刻蚀设备领域实现了重要突破，填补了国内在下一代3D半导体器件制造中关键刻蚀工艺的自主化空白。”中微公司阐述。

此次发布的Smart RF Match 智能射频匹配器，则是中微公司在高端半导体刻蚀设备中关键子系统的又一创新突破。这标志着中微公司在等离子体控制领域实现了从“被动响应”到“主动预测”的关键跨越。它不仅有效解决了行业长期面临的匹配精度、效率与稳定性的核心难题，显著提升了工艺性能与设备产能，更通过为下一代高端设备嵌入智能内核，为客户持续创造更高良率、更优成本与更强竞争力的价值。

此外，为满足Micro LED量产对高波长均匀性与低颗粒度的严苛要求，中微公司推出了专为Micro LED量产设计的Preciomo Udx ® MOCVD设备。

据了解，近年来，中微公司不断提高开发新的设备产品的质量和效率，将新产品的开发从传统的3到5年周期大幅缩短至2年以内，2025年公司开发的项目涵盖六大类，超过二十款新设备。通过“有机生长和外延扩展”，公司在五年内将覆盖60%以上的高端关键设备。

中微公司认为，随着四款新品的加入，公司已覆盖从宏观控制到微观感知、从成熟制程到前沿节点的多个维度，为加速向高端半导体设备平台化公司迈进注入了全新动能。