台积电计划2028年在日本投产3纳米芯片
台积电正式确认,计划2028年在日本生产3纳米芯片。3月31日周二,根据台积电文件披露,台积电日本第二厂将采用3纳米先进制程技术,月产能规划为1 5万片12英寸晶圆。这一计划在今年2月已由台积电CE
台积电正式确认,计划2028年在日本生产3纳米芯片。
3月31日周二,根据台积电文件披露,台积电日本第二厂将采用3纳米先进制程技术,月产能规划为1.5万片12英寸晶圆。
这一计划在今年2月已由台积电CEO魏哲家在会见日本首相高市早苗期间对外披露,此次文件提交进一步落实了相关细节。
台积电于2024年在日本设立子公司"日本先进半导体制造"(JASM),初期获得索尼半导体解决方案公司的支持,此后日本电装(DENSO)及丰田汽车相继以少数股东身份加入。
从成熟制程到先进制程的战略转变
此前,台积电在日本的布局主要集中于成熟制程技术。
根据2024年公布的计划,台积电日本第一厂与第二厂合计月产能为10万片12英寸晶圆,采用40纳米、22/28纳米、12/16纳米及6/7纳米等制程技术,两厂合计投资额超过200亿美元。
此次修订方案的出炉,意味着第二厂的技术定位已作出调整。由原定的较成熟制程升级至3纳米先进制程,这与台积电近期在全球范围内加速先进制程产能部署的整体战略方向一致。
台积电日本第一厂已于2024年底启动量产,进展顺利。第二厂若按计划于2028年投产。
据日本媒体此前报道,日本第二厂投资额将约达170亿美元,但台积电迄今未披露具体数字。
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