DRAM提产速度仅能满足市场六成需求，短缺、涨价仍将持续数年

DRAM提产速度仅能满足市场六成需求，短缺、涨价仍将持续数年

IT之家 4 月 20 日消息，一个关于内存芯片的长期挑战正浮出水面：据日经亚洲报道，当地时间 4 月 18 日，行业分析指出，这场短缺预计将持续至 2027 年前后。背后的原因很清晰——尽管美国和韩国的主要厂商正在积极扩产，但其提速步伐，似乎仅能覆盖约 60% 的市场需求。

免费影视、动漫、音乐、游戏、小说资源长期稳定更新！ 👉 点此立即查看 👈

雪上加霜的是，中东局势的动荡正在推高电力与原材料成本，这无疑给整个行业的供给前景，又蒙上了一层不确定性。

巨头扩产：远水难解近渴

先看看几家头部厂商的布局。三星电子计划在今年启用韩国平泽园区的第四座晶圆厂，但全面量产的时间点，预计要等到 2027 年或更晚。而且，这座工厂并非全部押注内存，它还将分担逻辑芯片的生产任务，这在客观上限制了其内存产能的扩张空间。

至于正在建设中的第五座工厂，其焦点是用于人工智能芯片的高性能 DRAM（即高带宽内存，HBM），但投产时间表更是排到了 2028 年或更晚。三星内存业务负责人金在俊的表态也印证了行业的谨慎：整体产能扩张受限，从今年到 2027 年，供给增长都将较为有限。

相比之下，SK 海力士的动作稍快一些。公司已于今年 2 月在清州投产了一座 HBM 工厂，这使其成为三星、美光这三大巨头中，唯一能在今年带来新增供应的玩家。同时，他们正在加快推进龙仁新厂的建设，目标是在 2027 年 2 月完工，比原计划提前了三个月。即便如此，SK 集团会长崔泰源仍指出，受限于晶圆短缺及短期扩产难度，AI 内存的紧张局面甚至可能持续至 2030 年。

另一巨头美光的计划则更着眼于中长期。他们规划在 2027 年于美国爱达荷州和新加坡启动 HBM 生产，并将在今年 5 月于日本广岛开建新厂，目标是在 2028 年实现量产。此外，美光已于 1 月决定收购力积电的一座工厂，该工厂的产品预计在 2027 年下半年推出。

一个关键背景是，三星、SK 海力士和美光这三家公司，目前占据了全球约 90% 的 DRAM 市场份额，并且几乎是 HBM 产能的唯一拥有者。

供需失衡：价格飙升与结构性矛盾

近年来，一个明显的趋势是，主要厂商都将重心转向了利润更高的 HBM，从而推迟了通用内存的扩产计划。这一战略转向的直接后果，便是从 2025 年秋季开始，市场供应明显趋紧。反映在价格上，今年第一季度内存价格的环比涨幅预计高达约 90%。

那么，缺口到底有多大？市场研究机构 Counterpoint Research 给出了一个测算：若要缓解当前的短缺，整个行业需要在 2027 年前实现约 12% 的年产能增长。然而，看看现有的扩产计划，年增长率仅为 7.5% 左右。该机构的研究总监黄敏秀判断，供需关系预计要到 2028 年才会恢复正常。

这里还有一个不容忽视的技术现实：在 AI 需求持续爆发的背景下，即便新产能陆续投产，供需紧张能否迅速缓解仍存变数。原因在于，先进的存储器工厂从投产到稳定提升良率，本身就需要不短的时间。

连锁反应：从消费电子到汽车工业

内存短缺的影响正在向产业链下游蔓延。目前，约 80% 至 90% 的内存芯片用于 PC、智能手机和服务器，其余则用于汽车及工业设备。然而，一个矛盾的现象正在发生：一方面，IDC 预计今年智能手机销量将下降 13%；另一方面，内存在低端智能手机中的成本占比已高达约 20%，预计到今年年中将逼近 40%。

这意味着什么？当内存成本蚕食掉大量利润空间后，手机厂商很可能会被迫减少产量。与此同时，汽车零部件厂商也已经感受到了内存供应不足带来的压力。这场始于数据中心和AI需求的“芯荒”，其涟漪效应正波及更广泛的领域。

总而言之，未来几年，内存市场的主旋律很可能依然是“短缺”与“涨价”。厂商的扩产步伐，似乎始终在追赶需求的尾巴。